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1. (WO2017046921) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/046921    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/076526
Date de publication : 23.03.2017 Date de dépôt international : 17.09.2015
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039 (JP)
Inventeurs : KAMAKURA Tsukasa; (JP).
KURIBAYASHI Koei; (JP).
YAMAGUCHI Daigo; (JP)
Mandataire : FUKUOKA Masahiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
Abrégé : front page image
(EN)The present invention has: a step for preparing a substrate having a film that is formed on the surface, said film containing a predetermined element, oxygen, and carbon; and a step for modifying at least the surface of the film by supplying a non-carbon-containing fluorine-based gas to the substrate under the conditions where etching of the film does not occur.
(FR)La présente invention comporte : une étape de préparation d'un substrat ayant un film qui est formé sur la surface, ledit film contenant un élément prédéterminé, de l'oxygène et du carbone ; et une étape de modification au moins de la surface du film en fournissant un gaz à base de fluor ne contenant pas de carbone au substrat dans des conditions ne permettant pas la gravure du film.
(JA)表面に所定元素、酸素および炭素を含む膜が形成された基板を準備する工程と、膜のエッチングが生じない条件下で基板に対して炭素非含有のフッ素系ガスを供給することで、少なくとも膜の表面を改質させる工程と、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)