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1. (WO2017046529) PHOTODÉTECTEUR À COURANT D'OBSCURITÉ RÉDUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/046529    N° de la demande internationale :    PCT/FR2016/052332
Date de publication : 23.03.2017 Date de dépôt international : 15.09.2016
CIB :
H01L 31/0352 (2006.01), H01L 31/101 (2006.01)
Déposants : SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE DÉTECTEURS INFRAROUGES - SOFRADIR [FR/FR]; Avenue de la Vauve 91120 Palaiseau (FR)
Inventeurs : RUBALDO, Laurent; (FR).
PERE LAPERNE, Nicolas; (FR).
KERLAIN, Alexandre; (FR).
NEDELCU, Alexandru; (FR)
Mandataire : TALBOT, Alexandre; (FR).
HECKE, Gérard; (FR)
Données relatives à la priorité :
1558673 16.09.2015 FR
Titre (EN) PHOTODETECTOR WITH REDUCED DARK CURRENT
(FR) PHOTODÉTECTEUR À COURANT D'OBSCURITÉ RÉDUIT
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a photodetector which includes an absorbing area (1) made up of a first semiconductor material having a first band gap energy value. It also includes a blocking area (3e, 3c) made up of at least second and third semiconductor materials configured to prevent the passage of the majority charge carriers between the absorbing area (1) and a contact area (2e, 2c), the second semiconductor material having a second band gap energy value higher than the first band gap energy value in order to form a quantum well with the third semiconductor material. The blocking area (3e, 3c) is doped.
(FR)Le photodétecteur comporte une zone absorbante (1) formée par un premier matériau semi-conducteur ayant une première valeur d'énergie de bande interdite. Il comporte également une zone de blocage (3e, 3c) formée par au moins des deuxième et troisième matériaux semi-conducteurs configurés pour s'opposer au passage des porteurs de charge majoritaires entre la zone absorbante (1) et une zone de contact (2e, 2c), le deuxième matériau semi- conducteur présentant une deuxième valeur d'énergie de bande interdite supérieure à la première valeur d'énergie de bande interdite pour former un puits quantique avec le troisième matériau semi-conducteur. La zone de blocage (3e, 3c) est dopée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)