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1. (WO2017046151) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE NANOSTRUCTURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/046151    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/071672
Date de publication : 23.03.2017 Date de dépôt international : 14.09.2016
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), B82Y 10/00 (2011.01), B82Y 30/00 (2011.01), H01L 33/18 (2010.01)
Déposants : TECHNISCHE UNIVERSITÄT MÜNCHEN [DE/DE]; Arcisstraße 21 80333 München (DE)
Inventeurs : KOBLMÜLLER, Gregor; (DE).
MAYER, Benedikt; (DE).
FINLEY, Jonathan; (DE).
ABSTREITER, Gerhard; (DE)
Mandataire : BOEHMERT & BOEHMERT ANWALTSPARTNERSCHAFT MBB; KRETSCHMANN, Dennis Pettenkoferstraße 20 - 22 80336 München (DE)
Données relatives à la priorité :
15185295.1 15.09.2015 EP
Titre (EN) A METHOD FOR FABRICATING A NANOSTRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE NANOSTRUCTURE
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating a nanostructure comprises the steps of growing a first nanowire on a substrate, forming a dielectric layer on the substrate, the dielectric layer surrounding the first nanowire, wherein a thickness of the dielectric layer is smaller than a length of the first nanowire, and removing the first nanowire from the dielectric layer, thereby exposing an aperture in the dielectric layer.
(FR)Un procédé de fabrication d'une nanostructure comprend les étapes consistant à faire croître un premier nanofil sur un substrat, à former une couche diélectrique sur le substrat, la couche diélectrique entourant le premier nanofil, l'épaisseur de la couche diélectrique étant inférieure à la longueur du premier nanofil, et à retirer le premier nanofil de la couche diélectrique, exposant ainsi une ouverture dans la couche diélectrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)