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1. (WO2017044467) ATTÉNUATION DE CANAL PARASITE DANS DES STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES EN MATÉRIAUX À BASE DE NITRURE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/044467    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/050515
Date de publication : 16.03.2017 Date de dépôt international : 07.09.2016
CIB :
H01L 31/00 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 31/0248 (2006.01)
Déposants : MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC. [US/GB]; 100 Chelmsford Street Lowell, MA 01851 (US)
Inventeurs : ROBERTS, John, Claassen; (US).
LINTHICUM, Kevin, J.; (US).
HANSON, Allen, W.; (US).
COOK, James, W., Jr.; (US)
Mandataire : WALAT, Robert, H.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/847,325 08.09.2015 US
Titre (EN) PARASITIC CHANNEL MITIGATION IN III-NITRIDE MATERIAL SEMICONDUCTOR STRUCTURES
(FR) ATTÉNUATION DE CANAL PARASITE DANS DES STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES EN MATÉRIAUX À BASE DE NITRURE III
Abrégé : front page image
(EN)Ill-nitride materials are generally described herein, including material structures comprising III-nitride material regions and silicon-containing substrates. Certain embodiments are related to gallium nitride materials and material structures comprising gallium nitride material regions and silicon-containing substrates.
(FR)L'invention concerne de manière générale des matériaux à base de nitrure III, y compris des structures de matériaux présentant des régions de matériaux à base de nitrure III et des substrats contenant du silicium. Certains modes de réalisation concernent des matériaux à base de nitrure de gallium et des structures de matériaux présentant des régions de matériaux à base de nitrure de gallium et des substrats contenant du silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)