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1. (WO2017044375) DISPOSITIF D'ALIMENTATION AYANT UNE TRANCHÉE REMPLIE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN AVEC UNE ÉPAISSEUR D'OXYDE CONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/044375    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/049901
Date de publication : 16.03.2017 Date de dépôt international : 01.09.2016
CIB :
H01L 21/70 (2006.01)
Déposants : MAXPOWER SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 181 Metro Drive Suite 590 San Jose, California 95110 (US)
Inventeurs : BLANCHARD, Richard A.; (US).
DARWISH, Mohamed N.; (US).
ZENG, Jun; (US)
Mandataire : OGONOWSKY, Brian D.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/215,563 08.09.2015 US
62/218,375 14.09.2015 US
15/247,510 25.08.2016 US
Titre (EN) POWER DEVICE HAVING A POLYSILICON-FILLED TRENCH WITH A TAPERED OXIDE THICKNESS
(FR) DISPOSITIF D'ALIMENTATION AYANT UNE TRANCHÉE REMPLIE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN AVEC UNE ÉPAISSEUR D'OXYDE CONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)In one embodiment, a power MOSFET vertically conducts current. A bottom electrode may be connected to a positive voltage, and a top electrode may be connected to a low voltage, such as a load connected to ground. A gate and/or a field plate, such as polysilicon, is within a trench. The trench has a tapered oxide layer insulating the polysilicon from the silicon walls. The oxide is much thicker near the bottom of the trench than near the top to increase the breakdown voltage. The tapered oxide is formed by implanting nitrogen into the trench walls to form a tapered nitrogen dopant concentration. This forms a tapered silicon nitride layer after an anneal. The tapered silicon nitride variably inhibits oxide growth in a subsequent oxidation step.
(FR)Selon un mode de réalisation, un MOSFET de puissance conduit verticalement le courant. Une électrode inférieure peut être connectée à une tension positive, et une électrode supérieure peut être connectée à une basse tension, telle qu'une charge connectée à la masse. Une grille et/ou une plaque de champ, telle que du silicium polycristallin, est à l'intérieur d'une tranchée. La tranchée présente une couche d'oxyde conique isolant le silicium polycristallin des parois de silicium. L'oxyde est beaucoup plus épais à proximité du fond de la tranchée qu'à proximité de la partie supérieure afin d'augmenter la tension de claquage. L'oxyde conique est formé par implantation d'azote dans les parois de la tranchée pour former une concentration en dopant d'azote conique. Cela forme une couche de nitrure de silicium conique après un recuit. Le nitrure de silicium conique inhibe de manière variable la croissance d'oxyde lors d'une étape d'oxydation ultérieure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)