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1. (WO2017043805) CELLULE SOLAIRE DU TYPE À FILM MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/043805    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/009750
Date de publication : 16.03.2017 Date de dépôt international : 01.09.2016
CIB :
H01L 31/0445 (2014.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/04 (2014.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : MOOHAN CO., LTD. [KR/KR]; 212-9, Opo-ro, Opo-eup, Gwangju-si Gyeonggi-do 12773 (KR)
Inventeurs : KIM, Heon Do; (KR)
Mandataire : ASTRAN INT'L IP GROUP; (ShinSung Building, Yeoksam-dong) 5th Floor, 233, Yeoksam-ro, Gangnam-gu, Seoul 06225 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0127719 09.09.2015 KR
Titre (EN) THIN FILM-TYPE SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE DU TYPE À FILM MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLE-CI
(KO) 박막형 태양전지 및 그 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a thin film-type solar cell and a method for manufacturing the same, the thin film-type solar cell comprising: a substrate; a first transparent electrode, which is provided on the substrate, and which has a first separating portion formed thereon; a semiconductor layer formed on the first separating portion and on the first transparent electrode; a contact portion formed to penetrate the first transparent electrode and the semiconductor layer; a second transparent electrode formed inside the contact portion and on the semiconductor layer; and a second separating portion formed to penetrate the semiconductor layer and the second transparent electrode, wherein the grain size of the contact portion is smaller than the grain size of the first transparent electrode.
(FR)La présente invention concerne une cellule solaire du type à film mince et un procédé de fabrication de celle-ci, la cellule solaire du type à film mince comprenant : un substrat; une première électrode transparente, qui est située sur le substrat, et sur laquelle est formée une première partie de séparation; une couche semi-conductrice formée sur la première partie de séparation et sur la première électrode transparente; une partie contact formée pour pénétrer dans la première électrode transparente et dans la couche semi-conductrice; une seconde électrode transparente formée à l'intérieur de la partie contact et sur la couche semi-conductrice; et une seconde partie de séparation formée pour pénétrer dans la couche semi-conductrice et dans la seconde électrode transparente, la taille de grain de la partie contact étant plus petite que la taille de grain de la première électrode transparente.
(KO)본 발명은 기판; 상기 기판 상에 구비되며, 제1 분리부가 형성된 제1 투명전극; 상기 제1 분리부와 상기 제1 투명 전극 상에 형성되는 반도체층; 상기 제1 투명 전극과 상기 반도체층을 관통하여 형성되는 콘택부; 상기 콘택부 내에 형성됨과 더불어 상기 반도체층 상에 형성되는 제2 투명전극; 및 상기 반도체층과 상기 제2 투명전극을 관통하여 형성되는 제2 분리부를 포함하며, 상기 콘택부의 그레인 크기는 상기 제1 투명전극의 그레인의 크기보다 작은 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지 및 그 제조방법을 제공한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)