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1. (WO2017043411) CRISTAL DE NITRURE DE GALLIUM, PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ ET DISPOSITIF DE CROISSANCE DE CRISTAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/043411    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/075644
Date de publication : 16.03.2017 Date de dépôt international : 01.09.2016
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C30B 23/02 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO [JP/JP]; 41-1, Yokomichi, Nagakute-shi, Aichi 4801192 (JP)
Inventeurs : KIMURA Taishi; (JP).
NAKAMURA Daisuke; (JP)
Mandataire : HATAKEYAMA Fumio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-176541 08.09.2015 JP
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND CRYSTAL GROWTH DEVICE
(FR) CRISTAL DE NITRURE DE GALLIUM, PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ ET DISPOSITIF DE CROISSANCE DE CRISTAUX
(JA) 窒化ガリウム結晶及びその製造方法、並びに、結晶成長装置
Abrégé : front page image
(EN)This gallium nitride crystal has a nanovoid density in the crystal of less than 1×105 [cm-2]. This crystal growth device is a device for producing gallium nitride crystals. In the crystal growth device, a member for which the B concentration of at least a surface part is less than 1 ppm is used as a member (member for high temperatures) to be used for parts in which the temperature reaches 500ºC or higher among members exposed to a crystal growth space. Using this crystal growth device enables gallium nitride crystals having a nanovoid density in the crystal of less than 1×105 [cm-2] to be obtained.
(FR)Le cristal de nitrure de gallium de la présente invention a une densité de nanopores dans le cristal inférieure à 1×105 [cm-2]. Le dispositif de croissance de cristaux de l'invention est un dispositif de production de cristaux de nitrure de gallium. Dans le dispositif de croissance de cristaux, un élément pour lequel la concentration B d'au moins une partie de la surface est inférieure à 1 ppm est utilisé comme un élément (élément destiné à des températures élevées) à utiliser pour des pièces dans lesquelles la température atteint 500 °C ou plus parmi les éléments exposés à un espace de croissance de cristaux. L'utilisation de ce dispositif de croissance de cristaux permet l'obtention de cristaux de nitrure de gallium ayant une densité de nanopores dans le cristal inférieure à 1×105 [cm-2].
(JA)窒化ガリウム結晶は、結晶中のナノボイド密度が1×105[cm-2]未満である。結晶成長装置は、窒化ガリウム結晶を製造するための装置であって、結晶成長空間に曝される部材の内、温度が500℃以上となる部分に用いられる部材(高温用部材)として、少なくとも表層部分のB濃度が1ppm未満である部材が用いられている。このような結晶成長装置を用いると、結晶中のナノボイド密度が1×105[cm-2]未満である窒化ガリウム結晶が得られる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)