WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017043408) PROCÉDÉ DE DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/043408    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/075629
Date de publication : 16.03.2017 Date de dépôt international : 01.09.2016
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : DIC CORPORATION [JP/JP]; 35-58, Sakashita 3-chome, Itabashi-ku, Tokyo 1748520 (JP)
Inventeurs : KOTAKE Masayoshi; (JP).
MURATA Hideyuki; (JP)
Mandataire : TANAI Sumio; (JP).
IGARASHI Koei; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-175899 07.09.2015 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 電子デバイスの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing an electronic device comprising an underlying metal layer and an insulating layer laminated on the underlying metal layer, wherein the insulating layer is formed by an inverting offset printing method whereby a patterning film patterned in a shape having an opening through which a part of the underlying metal layer is exposed is laminated on the underlying metal layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électronique comprenant une couche métallique sous-jacente et une couche isolante stratifiée sur la couche métallique sous-jacente, laquelle couche isolante est formée par un procédé offset à inversion, moyennant quoi un film de formation de motifs se présentant sous une forme ayant une ouverture à travers laquelle est exposée une partie de la couche métallique sous-jacente est stratifié sur la couche métallique sous-jacente.
(JA)下地金属層と、前記下地金属層に積層される絶縁層とを有する電子デバイスの製造方法であって、前記下地金属層の一部を露出する開口部を有する形状にパターニングされたパターニング膜を前記下地金属層に積層させる反転オフセット印刷法により前記絶縁層を形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)