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1. (WO2017043396) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COUCHE DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/043396    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/075534
Date de publication : 16.03.2017 Date de dépôt international : 31.08.2016
CIB :
H01L 31/0749 (2012.01)
Déposants : SOLAR FRONTIER K.K. [JP/JP]; 3-2, Daiba 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1358074 (JP)
Inventeurs : HIROI, Homare; (JP).
IWATA, Yasuaki; (JP).
SUGIMOTO, Hiroki; (JP)
Mandataire : AOKI, Atsushi; (JP).
TSURUTA, Junichi; (JP).
MINAMIYAMA, Chihiro; (JP).
MIYAMOTO, Tetsuo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-179343 11.09.2015 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC CONVERSION LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COUCHE DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換層を製造する方法及び光電変換素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)According to this method for producing a photoelectric conversion layer containing no selenium, a photoelectric conversion layer is produced by heating a precursor film, which contains a group I element, gallium and a group III element other than gallium, at a heating rate within the range of 40-140°C/min in an atmosphere containing a group VI element other than selenium, thereby causing a reaction between the precursor film and the group VI element.
(FR)L'invention porte sur un procédé de production d'une couche de conversion photoélectrique ne contenant pas de sélénium, dans lequel une couche de conversion photoélectrique est produite par chauffage d'un film précurseur, qui contient un élément du groupe I, du gallium et un élément du groupe III autre que le gallium, à une vitesse de chauffage comprise dans la plage de 40 à 140 °C/min dans une atmosphère contenant un élément du groupe VI autre que le sélénium, ce qui permet de provoquer une réaction entre le film précurseur et l'élément du groupe VI.
(JA)セレンを含まない光電変換層を製造する方法は、I族元素と、ガリウムと、ガリウム以外のIII族元素とを含むプリカーサ膜を、セレン以外のVI族元素を含む雰囲気において、40~140℃/分の範囲の昇温速度で加熱して、プリカーサ膜とVI族元素とを反応させて光電変換層を製造する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)