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1. (WO2017043151) APPAREIL À ONDES ÉLASTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/043151    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/068569
Date de publication : 16.03.2017 Date de dépôt international : 22.06.2016
CIB :
H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : KISHIMOTO, Yutaka; (JP).
OMURA, Masashi; (JP).
KIMURA, Tetsuya; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-177601 09.09.2015 JP
Titre (EN) ELASTIC WAVE APPARATUS
(FR) APPAREIL À ONDES ÉLASTIQUES
(JA) 弾性波装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an elastic wave apparatus that uses an S0 mode of a plate wave and with which variations tend not to occur in the speed of sound or frequency characteristics even if the thickness of an electrode film changes. In the elastic wave apparatus 1: an IDT electrode 6 having a plurality of electrode fingers is provided on a first main surface 5a of a piezoelectric thin film 5; a conductive layer 8 is provided on a second main surface 5b of the piezoelectric thin film 5; an elastic wave propagating through the piezoelectric thin film 5 is an S0 mode of a plate wave; and a portion of the piezoelectric thin film 5 in a region under a space between the electrode fingers of the IDT electrode 6 changes more greatly than the electrode fingers and portions of the piezoelectric thin film 5 in the regions under the electrode fingers.
(FR)L'invention concerne un appareil à ondes élastiques qui utilise un mode S0 d'une onde de Lamb et avec lequel des variations n'ont pas tendance à se produire dans la vitesse du son ou dans des courbes de réponse en fréquence, même si l'épaisseur d'un film d'électrode varie. Dans le dispositif à ondes élastiques 1 : une électrode inter-digitée (IDT) 6 ayant une pluralité de doigts d'électrode est disposée sur une première surface principale 5a d'un film mince piézoélectrique 5 ; une couche conductrice 8 est disposée sur une seconde surface principale 5b du film mince piézoélectrique 5 ; une onde élastique se propageant dans le film mince piézoélectrique 5 est un mode S0 d'une onde de Lamb ; une partie du film mince piézoélectrique 5 dans une région située sous un espace entre les doigts d'électrode de l'électrode IDT 6 varie plus fortement que les doigts d'électrode et des parties du film mince piézoélectrique 5 dans les régions situées sous les doigts d'électrode.
(JA) 板波のS0モードを利用している弾性波装置において、電極膜厚が変化したとしても、音速や周波数特性のばらつきが生じ難い、弾性波装置を提供する。 圧電薄膜5の第1の主面5a上に複数本の電極指を有するIDT電極6が設けられている。圧電薄膜5の第2の主面5b上に導電層8が設けられている。圧電薄膜5を伝搬する弾性波は板波のS0モードであり、前記IDT電極6の電極指間下の領域にある圧電薄膜5部分が、電極指、及び電極指下の領域にある圧電薄膜5部分よりも大きく変化する、弾性波装置1。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)