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1. (WO2017043084) FORMATION D'UN FILM EN PÉROVSKITE SANS PLOMB
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/043084    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/004088
Date de publication : 16.03.2017 Date de dépôt international : 07.09.2016
CIB :
C23C 14/24 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01), H01L 51/44 (2006.01)
Déposants : OKINAWA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY SCHOOL CORPORATION [JP/JP]; 1919-1 Tancha, Onna-son, Kunigami-gun, Okinawa 9040495 (JP)
Inventeurs : QI, Yabing; (JP).
JUNG, Min-Cherl; (JP).
RUIZ RAGA, Sonia; (JP)
Mandataire : KATAYAMA, Shuhei; (JP)
Données relatives à la priorité :
62/217,770 11.09.2015 US
Titre (EN) FORMATION OF LEAD-FREE PEROVSKITE FILM
(FR) FORMATION D'UN FILM EN PÉROVSKITE SANS PLOMB
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a Pb-free perovskite film is provided, the method based on vacuum evaporation and comprising: first depositing a first material comprising Sn halide on a substrate to form a first layer; second depositing a second material comprising organic halide to form a second layer on the first layer to obtain a sequentially-deposited two-layer film on the substrate; and annealing the sequentially-deposited two-layer film on the substrate. During the annealing, the first and second materials inter-diffuse and react to form the Pb-free perovskite film. The second layer is formed to cover the first layer so as to prevent the first layer from air exposure. The solar cell device including the Pb-free perovskite film formed by using the present method exhibits good stability.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un film en pérovskite sans Pb, ledit procédé étant basé sur l'évaporation sous vide et comprenant : un premier dépôt d'un premier matériau comprenant un halogénure de Sn sur un substrat pour former une première couche ; un second dépôt d'un second matériau comprenant un halogénure organique pour former une seconde couche sur la première couche afin d'obtenir un film à deux couches déposées de manière séquentielle sur le substrat ; et le recuit du film à deux couches déposées de manière séquentielle sur le substrat. Pendant le recuit, les premier et second matériaux s'interdiffusent et réagissent de manière à former le film en pérovskite sans Pb. La seconde couche est formée de manière à recouvrir la première couche afin d'empêcher l'exposition à l'air de la première couche. Un dispositif de cellule photovoltaïque comprenant le film de pérovskite sans plomb formé en utilisant le procédé selon la présente invention présente une bonne stabilité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)