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1. (WO2017042862) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE ET CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/042862    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/075335
Date de publication : 16.03.2017 Date de dépôt international : 07.09.2015
CIB :
H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventeurs : HAMA, Atsuro; (JP).
NISHIMURA, Kunihiko; (JP).
NISHIMURA, Shinya; (JP)
Mandataire : TAKAMURA, Jun; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD AND SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE ET CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池の製造方法および太陽電池
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to obtain a method for manufacturing a solar cell having a long carrier lifetime by suppressing mixing of an impurity in a rear surface when film-forming a solid-phase diffusion source, then diffusing the impurity by heat treatment. This solar cell manufacturing method includes: a step for forming a BSG film 2, i.e., a solid-phase diffusion source, on a light receiving surface 1A of an n-type single-crystal silicon substrate 1 having the light receiving surface 1A and a rear surface 1B; and a heat treatment step for forming a p-type diffusion layer 7 by heating the n-type single-crystal silicon substrate 1, and diffusing boron, i.e., a second conductivity-type impurity, from the BSG film 2. The method also includes, prior to the heat treatment step, a step for removing solid-phase diffusion sources, such as a boron-containing product 4 and a silicon oxide-containing product 5, which are film-formed on the rear surface 1B.
(FR)L'objet de la présente invention est d'obtenir un procédé de fabrication d'une cellule solaire ayant une longue durée de vie de porteur de charges en supprimant le mélange d'une impureté dans une surface arrière lors de la formation de film d'une source de diffusion à phase solide, puis en diffusant l'impureté par traitement thermique. Ce procédé de fabrication de cellule solaire comprend : une étape de formation d'un film BSG 2, c'est-à-dire une source de diffusion à phase solide, sur une surface de réception de lumière 1A d'un substrat de silicium monocristallin de type n 1 ayant la surface de réception de lumière 1A et une surface arrière 1B ; et une étape de traitement thermique permettant de former une couche de diffusion de type p 7 par chauffage du substrat de silicium monocristallin de type n 1, et par diffusion de bore, c'est-à-dire une impureté d'un second type de conductivité, à partir du film BSG 2. Le procédé comprend également, avant l'étape de traitement thermique, une étape d'élimination de sources de diffusion à phase solide, tel qu'un produit contenant du bore 4 et un produit contenant de l'oxyde de silicium 5, qui sont formé sous forme de film sur la surface arrière 1B.
(JA)固相拡散源を成膜後、続いて熱処理による不純物拡散を行うに際し、裏面に不純物が混入するのを抑制し、キャリア寿命の長い太陽電池の製造方法を得ることを目的とし、受光面1Aおよび裏面1Bを有するn型単結晶シリコン基板1の受光面1Aに固相拡散源であるBSG膜2を成膜する工程と、n型単結晶シリコン基板1を加熱し、BSG膜2から、第2導電型の不純物であるボロンを拡散させ、p型拡散層7を形成する熱処理工程とを含み、熱処理工程に先立ち、裏面1Bに成膜されたボロン含有生成物4、酸化シリコン含有生成物5などの固相拡散源を除去する工程を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)