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1. (WO2017042749) DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/042749    N° de la demande internationale :    PCT/IB2016/055420
Date de publication : 16.03.2017 Date de dépôt international : 12.09.2016
CIB :
G09F 9/30 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/46 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : OIKAWA, Yoshiaki; (JP).
KOEZUKA, Junichi; (JP).
OKAZAKI, Kenichi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-179114 11.09.2015 JP
Titre (EN) DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A novel display device that is highly convenient or reliable is provided. Furthermore, a display with low power consumption and high display quality is provided. The display device includes a first display element (430), a second display element (630 ), a first transistor (Tr1), and second transistor (Tr3). The first display element (430) includes a first pixel electrode and a liquid crystal layer. The second display element (630) includes a second pixel electrode and a light-emitting layer. The first transistor (Tr1) is electrically connected to the first pixel electrode. The second transistor (Tr3) is electrically connected to the second pixel electrode. The first transistor (Tr1) and the second transistor (Tr3) each include an oxide semiconductor film. The first pixel electrode and the second pixel electrode each include at least one metal element contained in the oxide semiconductor film.
(FR)L'invention concerne un nouveau dispositif d'affichage très pratique ou fiable. Elle concerne en outre un dispositif d'affichage à faible consommation d'énergie et haute qualité d'affichage. Le dispositif d'affichage comprend un premier élément d'affichage (430), un second élément d'affichage (630), un premier transistor (Tr1) et un second transistor (Tr3). Le premier élément d'affichage (430) comprend une première électrode de pixel et une couche de cristaux liquides. Le second élément d'affichage (630) comprend une seconde électrode de pixel et une couche électroluminescente. Le premier transistor (Tr1) est raccordé électriquement à la première électrode de pixel. Le second transistor (Tr3) est raccordé électriquement à la seconde électrode de pixel. Le premier transistor (Tr1) et le second transistor (Tr3) comprennent chacun un film d'oxyde semi-conducteur. La première électrode de pixel et la seconde électrode de pixel comprennent chacune au moins un élément métallique présent dans le film d'oxyde semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)