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1. (WO2017042368) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UNE ZONE ACTIVE PROTÉGÉE D'UN CHAMP INTERNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/042368    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/071366
Date de publication : 16.03.2017 Date de dépôt international : 09.09.2016
CIB :
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/02 (2010.01), H01L 33/04 (2010.01), H01L 33/16 (2010.01)
Déposants : TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERLIN [DE/DE]; Straße des 17. Juni 135 10623 Berlin (DE)
Inventeurs : PAHN, Gerald; (DE).
CALLSEN, Gordon; (DE).
HOFFMANN, Axel; (DE)
Mandataire : EISENFÜHR SPEISER PATENTANWÄLTE RECHTSANWÄLTE PARTGMBB; Anna-Louisa-Karsch-Straße 2 10178 Berlin (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2015 217 330.5 10.09.2015 DE
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN INTERNAL-FIELD-GUARDED ACTIVE REGION
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UNE ZONE ACTIVE PROTÉGÉE D'UN CHAMP INTERNE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device comprises a layer sequence formed by a plurality of polar single crystalline semiconductor material layers that each have a crystal axis pointing in a direction of crystalline polarity and a stacking direction of the layer sequence. A core layer sequence is formed by an active region made of an active layer stack or a plurality of repetitions of the active layer stack. The active layer stack has an active layer having a first material composition associated with a first band gap energy, and carrier- confinement layers embedding the active layer on at least two opposite sides thereof, having a second material composition associated with a second band gap energy larger than the first band gap energy. A pair of polarization guard layers is arranged adjacent to the active region and embedding the active region on opposite sides thereof. Both polarization guard layers have the first material composition.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur qui comprend une séquence de couches formée par une pluralité de couches de matériau semi-conducteur monocristallin polaire qui ont chacune un axe cristallin orienté dans une direction de polarité cristalline et une direction d'empilement de la séquence de couches. Une séquence de couches de cœur est formée par une zone active constituée d'un empilement à couche active ou d'une pluralité de répétitions de l'empilement à couche active. L'empilement à couche active comporte une couche active ayant une première composition matérielle associée à une première énergie de bande interdite, et des couches de confinement de porteurs enrobant la couche active sur au moins deux côtés opposés de cette dernière, ayant une seconde composition matérielle associée à une seconde énergie de bande interdite plus grande que la première énergie de bande interdite. Une paire de couches de protection de polarisation sont agencées adjacentes à la zone active et enrobent la zone active sur des côtés opposés de cette dernière. Les deux couches de protection de polarisation ont la première composition matérielle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)