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1. (WO2017041812) DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE COMPRENANT UN GUIDE D'ONDES ET UN ENSEMBLE DE NANOFILS SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/041812    N° de la demande internationale :    PCT/EP2015/001835
Date de publication : 16.03.2017 Date de dépôt international : 11.09.2015
CIB :
G02B 6/124 (2006.01), H01S 5/10 (2006.01)
Déposants : FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. [DE/DE]; Rudower Chaussee 17 12489 Berlin (DE)
Inventeurs : GIUNTONI, Ivano; (DE).
GEELHAAR, Lutz; (DE).
RIECHERT, Henning; (DE).
BRUNS, Jürgen; (DE)
Mandataire : HERTZ, Oliver; v. Bezold & Partner Patentanwälte - PartG mbB Akademiestraße 7 80799 München (DE)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) OPTOELECTRONIC DEVICE, COMPRISING A WAVEGUIDE AND A SEMICONDUCTOR NANOWIRE ARRAY, AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
(FR) DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE COMPRENANT UN GUIDE D'ONDES ET UN ENSEMBLE DE NANOFILS SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Abrégé : front page image
(EN)An optoelectronic device (100) comprises a waveguide device (10) being arranged for guiding light fields (1), an array (20) of semiconductor nanowires (21), which stand with a mutual spacing on the waveguide device (10), wherein the positions and spacing of the nanowires (21) are selected such that the array (20) of semiconductor nanowires (21) provides an optical grating coupler optically coupling the waveguide device (10) and the semiconductor nanowires (21), and first and second contact sections (31, 32) for electrically contacting the array (20) of semiconductor nanowires (21). Furthermore, a method of manufacturing the optoelectronic device is described.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif optoélectronique (100) qui comprend : un dispositif guide d'ondes (10) conçu pour guider des champs lumineux (1) ; un ensemble (20) de nanofils semi-conducteurs (21) situés sur le dispositif guide d'ondes (10) et séparés par un espacement mutuel, les positions et l'espacement des nanofils (21) étant sélectionnés de telle sorte que l'ensemble (20) de nanofils semi-conducteurs (21) forme un coupleur à réseau de diffraction optique couplant optiquement ledit dispositif guide d'ondes (10) et les nanofils semi-conducteurs (21) ; ainsi que des première et seconde sections de contact (31, 32) destinées à entrer en contact électrique avec l'ensemble (20) de nanofils semi-conducteurs (21). En outre, la présente invention a trait à un procédé de fabrication du dispositif optoélectronique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)