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1. (WO2017041435) SUBSTRAT D'AFFICHAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/041435    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/073837
Date de publication : 16.03.2017 Date de dépôt international : 16.02.2016
CIB :
H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/77 (2017.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : CHENG, Leilei; (CN).
PENG, Rui; (CN).
WANG, Dongfang; (CN)
Mandataire : TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510571922.2 09.09.2015 CN
Titre (EN) DISPLAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT D'AFFICHAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 显示基板及其制作方法和显示装置
Abrégé : front page image
(EN)A display substrate and manufacturing method therefor, and a display device, the manufacturing method comprises: forming a substrate (1); forming a thin film transistor on the substrate (1), wherein the thin film transistor comprises a gate electrode (21), a source electrode (22), a drain electrode (23) and an active layer (24); forming a second insulating layer (4) between the gate electrode (21) and the active layer (24); forming a first insulating layer (3) on the substrate (1) and forming the active layer (24) in the first insulating layer (3); forming a third insulating layer (5) on the thin film transistor; forming a pixel electrode (6) on the third insulating layer (5); and forming a fourth insulating layer (7) on the pixel electrode (6), wherein at least one layer of the substrate (1), the first insulating layer (3), the second insulating layer (4), the third insulating layer (5) and the fourth insulating layer (7) is made of organic material and at least one layer of them is made of inorganic material.
(FR)L'invention concerne un substrat d'affichage et son procédé de fabrication, ainsi qu'un dispositif d'affichage. Le procédé de fabrication consiste à : former un substrat (1) ; former un transistor à couches minces sur le substrat (1), le transistor à couches minces comprenant une électrode de grille (21), une électrode de source (22), une électrode de drain (23) et une couche active (24) ; former une deuxième couche isolante (4) entre l'électrode de grille (21) et la couche active (24) ; former une première couche isolante (3) sur le substrat (1) et former la couche active (24) dans la première couche isolante (3) ; former une troisième couche isolante (5) sur le transistor à couches minces ; former une électrode de pixel (6) sur la troisième couche isolante (5) ; et former une quatrième couche isolante (7) sur l'électrode de pixel (6), au moins une couche parmi le substrat (1), la première couche isolante (3), la deuxième couche isolante (4), la troisième couche isolante (5) et la quatrième couche isolante (7) étant formée de matériau organique et au moins une couche parmi celles-ci étant formée de matériau inorganique.
(ZH)一种显示基板及其制作方法和一种显示装置,该制作方法包括:形成基底(1);在基底(1)上形成薄膜晶体管,其中,该薄膜晶体管包括栅极(21)、源极(22)、漏极(23)和有源层(24),在该栅极(21)和有源层(24)之间形成有第二绝缘层(4),在该基底(1)上形成有第一绝缘层(3),该有源层(24)形成在第一绝缘层(3)中;在薄膜晶体管之上形成第三绝缘层(5);在第三绝缘层(5)之上形成像素电极(6);在像素电极(6)之上形成第四绝缘层(7),其中,基底(1)、第一绝缘层(3)、第二绝缘层(4)、第三绝缘层(5)和第四绝缘层(7)中的至少一层的材料为有机材料,至少一层的材料为无机材料。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)