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1. (WO2017041047) PROCÉDÉ D'AMÉLIORATION DE LA RÉSOLUTION LATÉRALE D'UN CAPTEUR DE HAUTEUR UTILISANT UNE TECHNOLOGIE DE DÉTECTION DIFFÉRENTIELLE POUR L'INSPECTION ET LA MÉTROLOGIE DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/041047    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/050281
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 02.09.2016
CIB :
H01L 21/66 (2006.01), G01N 21/95 (2006.01)
Déposants : KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Dept. One Technology Drive Milpitas, California 95035 (US)
Inventeurs : LI, Shifang; (US)
Mandataire : MCANDREWS, Kevin; (US).
MORRIS, Elizabeth M.N.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/214,720 04.09.2015 US
15/255,255 02.09.2016 US
Titre (EN) METHOD OF IMPROVING LATERAL RESOLUTION FOR HEIGHT SENSOR USING DIFFERENTIAL DETECTION TECHNOLOGY FOR SEMICONDUCTOR INSPECTION AND METROLOGY
(FR) PROCÉDÉ D'AMÉLIORATION DE LA RÉSOLUTION LATÉRALE D'UN CAPTEUR DE HAUTEUR UTILISANT UNE TECHNOLOGIE DE DÉTECTION DIFFÉRENTIELLE POUR L'INSPECTION ET LA MÉTROLOGIE DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A system that can be used for used for semiconductor height inspection and metrology includes a complementary plate that is used with a beam splitter to create desired astigmatism and to remove chromatic aberration. Simultaneous optimization of lateral resolution and sensitivity can be enabled. The complementary plate can be made of the same material and have the same thickness as the beam splitter.
(FR)L'invention concerne un système qui peut être utilisé pour l'inspection et la métrologie de hauteur de semi-conducteurs, qui comprend une plaque complémentaire qui est utilisée avec un diviseur de faisceau pour créer un astigmatisme souhaité et pour éliminer une aberration chromatique. Une optimisation simultanée de la résolution latérale et de la sensibilité peut être rendue possible. La plaque complémentaire peut être faite du même matériau et avoir la même épaisseur que le diviseur de faisceau.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)