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1. (WO2017040054) PROCESSEUR D'ÉLECTRODÉPOSITION À ÉLECTRODE ÉCRAN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/040054    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/047586
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 18.08.2016
CIB :
C25D 17/00 (2006.01), C25D 17/10 (2006.01), C25D 17/06 (2006.01), C25D 5/16 (2006.01), C25D 7/12 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avneue Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : WILSON, Gregory, J.; (US).
MCHUGH, Paul, R.; (US)
Mandataire : OHRINER, Kenneth, H.; (US).
ALLBEE, Dannon, G.; (US).
LIU, Jun; (US).
AI, Bing; (US).
ARNETT, Stephen, E.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/843,803 02.09.2015 US
Titre (EN) ELECTROPLATING PROCESSOR WITH CURRENT THIEF ELECTRODE
(FR) PROCESSEUR D'ÉLECTRODÉPOSITION À ÉLECTRODE ÉCRAN
Abrégé : front page image
(EN)An electroplating processor has a head including a wafer holder, with the head movable to position a wafer in the wafer holder into a vessel holding a first electrolyte and having one or more anodes. A thief electrode assembly may be positioned adjacent to a lower end of the vessel, or below the anode. A thief current channel extends from the thief electrode assembly to a virtual thief position adjacent to the wafer holder. A thief electrode in the thief electrode assembly is positioned within a second electrolyte which is separated from the first electrolyte by a membrane. Alternatively, two membranes may be used with an isolation solution between them. The processor avoids plating metal onto the thief electrode, even when processing redistribution layer and wafer level packaging wafers having high amp-minute electroplating characteristics.
(FR)La présente invention concerne un processeur d'électrodéposition comportant une tête comprenant un support de tranche, la tête étant mobile pour positionner une tranche dans le support de tranche dans une cuve contenant un premier électrolyte et comprenant une ou plusieurs anode(s). Un ensemble électrode écran peut être positionné adjacent à une extrémité inférieure de la cuve, ou au-dessous de l'anode. Un canal d'écran s'étend depuis l'ensemble d'électrode écran jusqu'à une position d'écran virtuel adjacente au support de tranche. Une électrode écran dans l'ensemble électrode écran est positionnée dans un second électrolyte qui est séparé du premier électrolyte par une membrane. En variante, deux membranes peuvent être utilisées avec une solution d'isolation entre elles. Le processeur permet d'éviter le placage de métal sur l'électrode écran, même lors d'un traitement de couche de redistribution et des tranches d'encapsulation sur tranche ayant des caractéristiques d'électrodéposition d'ampère-minute élevées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)