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1. (WO2017039696) GUIDES D'ONDES OPTIQUES CONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/039696    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/048625
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 04.09.2015
CIB :
G02B 6/122 (2006.01)
Déposants : HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP [US/US]; 11445 Compaq Center Drive W. Houston, Texas 77070 (US)
Inventeurs : SEYEDI, Mir Ashkan; (US).
CHEN, Chin-Hui; (US)
Mandataire : CREERON, Kerry T.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TAPERED OPTICAL WAVEGUIDES
(FR) GUIDES D'ONDES OPTIQUES CONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus includes an optical rib waveguide on a substrate, the optical rib waveguide further includes: a slab layer of silicon, a shallow rib of silicon in height that tapers laterally along a taper region, a deep rib of silicon that meets the shallow rib along the taper region of the shallow rib, and wherein the deep rib and the shallow rib have a same width, and wherein the shallow rib has a greater height than the deep rib, a core of silicon that tapers laterally in a range of 50-90% and extends on top of the deep rib and the shallow rib, and a cladding layer of silicon oxide that covers the slab, core, deep rib, and shallow rib.
(FR)L'invention concerne un appareil qui comprend un guide d'ondes optique à nervures sur un substrat, le guide d'ondes optique à nervures comprenant en outre : une couche de dalle de silicium, une nervure peu profonde de silicium en hauteur qui s'effile latéralement le long d'une région conique, une nervure profonde de silicium qui rencontre la nervure peu profonde le long de la zone conique de la nervure peu profonde, la nervure profonde et la nervure peu profonde ayant une même largeur, et la nervure peu profonde ayant une hauteur supérieure à celle de la nervure profonde, un noyau de silicium qui s'effile latéralement dans une plage de 50 à 90 % et s'étend sur la partie supérieure de la nervure profonde et de la nervure peu profonde, et une couche de revêtement d'oxyde de silicium qui recouvre la dalle, le noyau, la nervure profonde et la nervure peu profonde.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)