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1. (WO2017039611) EMPILEMENTS DE MATÉRIAUX POUR MEMRISTANCES UNIPOLAIRES À FAIBLE COURANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/039611    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/047726
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 31.08.2015
CIB :
G11C 11/16 (2006.01)
Déposants : HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, TX 77070 (US)
Inventeurs : ZHANG, Minxian Max; (US).
SAMUELS, Katy; (US).
WILLIAMS, R. Stanley; (US).
LI, Zhiyong; (US)
Mandataire : PAGAR, Preetam; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MATERIAL STACKS FOR LOW CURRENT UNIPOLAR MEMRISTORS
(FR) EMPILEMENTS DE MATÉRIAUX POUR MEMRISTANCES UNIPOLAIRES À FAIBLE COURANT
Abrégé : front page image
(EN)A nonvolatile memory cell includes a diode electrically coupled in series with a unipolar nonvolatile resistance memory device. The unipolar nonvolatile resistance memory device includes a switching material sandwiched between a bottom electrode and a top electrode. The switching material may include silicon dioxide. The bottom electrode and the top electrode may include copper. A memory array utilizing the memory cell and a method for manufacturing the memory array are also provided.
(FR)La présente invention concerne une cellule de mémoire non volatile comprenant une diode couplée électriquement en série à un dispositif de memristance unipolaire non volatile. Le dispositif de memristance unipolaire non volatile comprend un matériau de commutation pris en sandwich entre une électrode inférieure et une électrode supérieure. Le matériau de commutation peut comprendre du dioxyde de silicium. L’électrode inférieure et l’électrode supérieure peuvent comprendre du cuivre. La présente invention concerne en outre un réseau de mémoires utilisant la cellule de mémoire et un procédé de fabrication du réseau de mémoires.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)