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1. (WO2017039436) DISPOSITIF TFT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/039436    N° de la demande internationale :    PCT/NL2016/050596
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 26.08.2016
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01)
Déposants : NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO [NL/NL]; Anna van Buerenplein 1 2595 DA 's-Gravenhage (NL)
Inventeurs : COBB, Brian Hardy; (NL)
Mandataire : JANSEN, C.M.; (NL)
Données relatives à la priorité :
15182911.6 28.08.2015 EP
Titre (EN) TFT DEVICE AND MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF TFT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A TFT device is manufactured starting from a substrate with mutually insulated elongated strips of semi-conductor material. A stack of layers over the strips on the substrate, the stack comprising a gate electrode layer. A multi-level resist layer is provided over the gate electrode layer. The multi- level resist layer defines gate and source drain regions, the channel running in parallel with the direction of the strips. Gate portions in the resist layer cross source drain regions in the resist layer, overreaching the source drain regions on either side at least by a distance corresponding to a pitch of the strips.
(FR)Selon l'invention, un dispositif TFT est fabriqué à partir d'un substrat à bandes allongées mutuellement isolées d'un matériau semi-conducteur. Un empilement de couches est placé au-dessus des bandes présentes sur le substrat, l'empilement comprenant une couche d'électrodes de grille. Une couche de résine multiniveau est ménagée au-dessus de la couche d'électrodes de grille. La couche de résine multiniveau délimite des régions de grille et des régions de drain source, le canal s'étendant parallèlement à la direction des bandes. Des parties de la grille dans la couche de résine croisent des régions de drain source dans la couche de résine, en allant au-delà des régions de drain source, de part et d'autre, au moins d'une distance correspondant à un pas des bandes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Demande de signalement aux fins de licence Le déposant a demandé au Bureau international de signaler qu'il est disposé à concéder une(des) licence(s) portant sur l'invention ou les inventions revendiquée(s) dans la présente demande internationale.