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1. (WO2017039045) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/039045    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/009404
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 07.09.2015
CIB :
H01L 33/14 (2010.01), H01L 33/06 (2010.01)
Déposants : PETALUX INC. [KR/KR]; 3F, 12, Yanghyeon-ro 405beon-gil, Jungwon-gu, Seongnam-si Gyeonggi-do 13438 (KR)
Inventeurs : AHN, Do Yeol; (KR)
Mandataire : C.M.PATENT & LAW FIRM,LLP.; (MK Bldg., Yeoksam-dong)2F, 39, Teheran-ro 25-gil Gangnam-gu Seoul 06131 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0123366 01.09.2015 KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(KO) 반도체 발광 디바이스
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor light-emitting device capable of improving light-emitting efficiency is disclosed. The semiconductor light-emitting device comprises an n-type semiconductor layer, a quantum well layer, a barrier layer, and a p-type semiconductor layer. The n-type semiconductor layer comprises an I-VII compound semiconductor. The quantum well layer is formed on the n-type semiconductor layer and comprises the I-VII compound semiconductor. The barrier layer is formed on the quantum well layer and comprises the I-VII compound semiconductor. The p-type semiconductor layer is formed on the barrier layer and comprises the I-VII compound semiconductor, wherein one or more p-type local doping layers are formed at the barrier layer.
(FR)La présente invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteur capable d'améliorer l'efficacité d'émission de lumière. Le dispositif électroluminescent à semi-conducteur comprend une couche semi-conductrice de type n, une couche de puits quantiques, une couche barrière et une couche semi-conductrice de type p. La couche semi-conductrice de type n comprend un semi-conducteur composé I-VII. La couche de puits quantiques est formée sur la couche semi-conductrice de type n et comprend le semi-conducteur des composés (I) à (VII). La couche barrière est formée sur la couche de puits quantiques et comprend le semi-conducteur des composés (I) à (VII). La couche semi-conductrice de type p est formée sur la couche barrière et comprend le semi-conducteur des composés (I) à (VII), une ou plusieurs couches de dopage local de type p étant formées au niveau de la couche barrière.
(KO)발광 효율을 향상시킬 수 있는 반도체 발광 디바이스가 개시된다. 이러한 반도체 발광 디바이스들은, n-형 반도체층, 양자 우물층, 배리어층 및 p-형 반도체층을 포함한다. n-형 반도체층은 I-VII 화합물 반도체를 포함한다. 상기 양자 우물층은 상기 n-형 반도체층 상부에 형성되고, I-VII 화합물 반도체를 포함한다. 상기 배리어층은 양자 우물층 상부에 형성되고, I-VII 화합물 반도체를 포함한다. 상기 p-형 반도체층은 상기 배리어층 상부에 형성되고, I-VII 화합물 반도체를 포함한다. 이때, 상기 배리어층에는, 하나 이상의 p-형 국소 도핑층이 형성된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)