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1. (WO2017038709) PROCÉDÉ DE DÉSORPTION/IONISATION LASER ASSISTÉE PAR SURFACE, PROCÉDÉ DE SPECTROMÉTRIE DE MASSE ET DISPOSITIF DE SPECTROMÉTRIE DE MASSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/038709    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/075049
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 26.08.2016
CIB :
G01N 27/62 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP)
Inventeurs : NAITO Yasuhide; (JP).
KOTANI Masahiro; (JP).
OHMURA Takayuki; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; (JP).
KUROKI Yoshiki; (JP).
SHIBAYAMA Kenichi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-173590 03.09.2015 JP
Titre (EN) SURFACE-ASSISTED LASER DESORPTION/IONIZATION METHOD, MASS SPECTROMETRY METHOD AND MASS SPECTROMETRY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE DÉSORPTION/IONISATION LASER ASSISTÉE PAR SURFACE, PROCÉDÉ DE SPECTROMÉTRIE DE MASSE ET DISPOSITIF DE SPECTROMÉTRIE DE MASSE
(JA) 表面支援レーザ脱離イオン化法、質量分析方法、及び質量分析装置
Abrégé : front page image
(EN)A surface-assisted laser desorption/ionization method according to one aspect of the present invention includes: a first step of preparing a sample supporting body 2 provided with a base plate 21 having a plurality of through-holes S which penetrate through from one surface 21a to another surface 21b, and an electrically conductive layer 23 covering at least the one surface 21a; a second step of placing a sample 10 on a sample stage 1 and disposing the sample supporting body 2 on the sample 10 in such a way that the other surface 21b opposes the sample 10; and a third step of irradiating the one surface 21a with a laser L to ionize the sample 10 which has migrated through the through-holes S by means of capillary action from the other surface 21b side to the one surface 21a side.
(FR)Selon un aspect de l'invention, un procédé de désorption/ionisation laser assistée par surface comprend: une première étape de préparation d'un corps porte-échantillon (2) muni d'une plaque de base (21) présentant une pluralité de trous traversants (S) percés d'une surface (21a) à une autre surface (21b), et d'une couche électroconductrice (23) recouvrant au moins la surface (21a); une deuxième étape de mise en place d'un échantillon (10) sur une platine d'échantillon (1) et du corps porte-échantillon (2) sur l'échantillon (10) de sorte que l'autre surface (21b) se trouve en face de l'échantillon (10); et une troisième étape d'irradiation de la surface (21a) avec un laser (L) de manière à ioniser l'échantillon (10) qui a migré par capillarité à travers les trous traversants (S), du côté surface (21b) au côté surface (21a).
(JA)一側面に係る表面支援レーザ脱離イオン化法は、一面21aから他面21bにかけて貫通する複数の貫通孔Sが設けられた基板21と、少なくとも一面21aを覆う導電層23と、を備える試料支持体2が用意される第1工程と、試料10が試料台1に載置され、且つ、他面21bが試料10に対向するように試料支持体2が試料10上に配置される第2工程と、一面21aにレーザLが照射されることにより、毛細管現象によって他面21b側から貫通孔Sを介して一面21a側に移動した試料10がイオン化される第3工程と、を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)