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1. (WO2017038542) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/038542    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/074452
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 23.08.2016
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), G02B 5/18 (2006.01), G02B 5/20 (2006.01), G02B 5/28 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 31/107 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
Déposants : SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
Inventeurs : TODA Atsushi; (JP).
INOUE Susumu; (JP).
YORIKADO Yuhi; (JP)
Mandataire : NISHIKAWA Takashi; (JP).
INAMOTO Yoshio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-174150 03.09.2015 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子、および電子装置
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure pertains to a solid-state image pickup element and an electronic device, which are capable of further improving quantum efficiency in a carrier-amplifying type sensor. The solid-state image pickup element according to an aspect of the present disclosure is a carrier-amplifying type solid-state image pickup element that applies an electric field to a depletion layer contained in a photoelectric conversion part to cause photo-multiplication, and is provided with the photoelectric conversion part containing the depletion layer, and a diffraction part which is formed on the surface of the photoelectric conversion part, and which bends the traveling direction of light incident on the photoelectric conversion part. The present disclosure is applicable to, for example, a CMOS image sensor.
(FR)La présente invention concerne un élément de capture d'image à semi-conducteurs et un dispositif électronique, qui permettent d'améliorer davantage le rendement quantique dans un capteur du type à amplification de porteurs. L'élément de capture d'image à semi-conducteurs selon un aspect de la présente invention est un élément de capture d'image à semi-conducteurs du type à amplification de porteurs qui applique un champ électrique à une couche d'appauvrissement contenue dans une partie de conversion photoélectrique pour provoquer une photo-multiplication, et est pourvu de la partie de conversion photoélectrique contenant la couche d'appauvrissement, et d'une partie de diffraction qui est formée sur la surface de la partie de conversion photoélectrique, et qui courbe la direction de propagation de la lumière incidente sur la partie de conversion photoélectrique. La présente invention est applicable, par exemple, à un capteur d'images CMOS.
(JA)本開示は、キャリア増倍型センサにおける量子効率をより向上させることができるようにする固体撮像素子、および電子装置に関する。 本開示の一側面である固体撮像素子は、光電変換部に含まれる空乏層に電界をかけることによって光電子増倍を発生させるキャリア増倍型の固体撮像素子において、前記空乏層を含む前記光電変換部と、前記光電変換部の表面に形成され、前記光電変換部に対する入射光の進行方向を曲げる回折部とを備える。本開示は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)