WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017038286) COMPOSÉ ORGANIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE CONTENANT CELUI-CI, ET TRANSISTOR ORGANIQUE CONTENANT CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/038286    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/071379
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 21.07.2016
CIB :
C07D 333/50 (2006.01), C07B 61/00 (2006.01), C09D 5/24 (2006.01), C09D 7/12 (2006.01), C09D 11/52 (2014.01), C09D 201/00 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : DIC CORPORATION [JP/JP]; 35-58, Sakashita 3-chome, Itabashi-ku, Tokyo 1748520 (JP)
Inventeurs : INAGAKI Sho; (JP).
MINAKUCHI Ryo; (JP).
ETORI Hideki; (JP).
ISHIZUKA Aya; (JP)
Mandataire : KONO Michihiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-169100 28.08.2015 JP
Titre (EN) ORGANIC COMPOUND, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL CONTAINING SAME, AND ORGANIC TRANSISTOR CONTAINING SAME
(FR) COMPOSÉ ORGANIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE CONTENANT CELUI-CI, ET TRANSISTOR ORGANIQUE CONTENANT CELUI-CI
(JA) 有機化合物、その製造法、それを含有する有機半導体材料及びそれを含有する有機トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)To provide a compound having excellent solubility in a solvent and which easily yields a film exhibiting high mobility not via a complex process, and an organic semiconductor material which uses the compound, and furthermore to provide an organic semiconductor ink whereby an organic transistor having a practical configuration can be conveniently fabricated. The technical problem of the present invention is solve by a method for manufacturing a dinaphthothiophene derivative, the method having steps (I) and (II). ((I): A first step for subjecting a naphthol derivative represented by general formula (A) and a naphthalene thiol derivative represented by general formula (B) to dehydration condensation in the presence of acid and manufacturing a sulfide derivative represented by general formula (C). (II): A second step for manufacturing a dinaphthothiophene derivative (D) by dehydrogenation reaction of the sulfide derivative (C) in the presence of a transition metal salt or a transition metal complex.)
(FR)La présente invention concerne la fourniture d’un composé ayant une excellente solubilité dans un solvant et qui produit un film présentant une mobilité élevée non par l’intermédiaire d’un processus complexe, et un matériau semi-conducteur organique qui utilise le composé, et en outre la fourniture d’une encre semi-conductrice organique de sorte qu’un transistor organique ayant une configuration pratique puisse être aisément fabriqué. Le problème technique de la présente invention est résolu par un procédé de fabrication d’un dérivé de dinaphtothiophène, le procédé comprenant les étapes (I) et (II). ((I) : une première étape de soumission d’un dérivé de naphtol représenté par la formule générale (A) et d’un dérivé de naphtalènethiol représenté par la formule générale (B) à une condensation par déshydratation en présence d’acide et de fabrication d’un dérivé de sulfure représenté par la formule générale (C). (II) : une deuxième étape de fabrication d’un dérivé de dinaphtothiophène (D) par réaction de déshydrogénation du dérivé de sulfure (C) en présence d’un sel de métal de transition ou d’un complexe de métal de transition.)
(JA)溶媒への溶解性に優れ、複雑なプロセスを経由せずとも容易に、高い移動度を呈する膜を与える化合物、及びそれを用いた有機半導体材料を提供すること、更には、実用的な構成の有機トランジスタを簡便に作製出来る有機半導体インクを提供すること。 ジナフトチオフェン誘導体の製造方法であって、以下の(I)及び(II)の工程を有するジナフトチオフェン誘導体の製造方法により、課題を解決する。 ((I)一般式(A)で表せるナフトール誘導体と一般式(B)で表せるナフタレンチオール誘導体を、酸存在下、脱水縮合させて一般式(C)で表せるスルフィド誘導体を製造する第一工程、 (II)前記スルフィド誘導体(C)を、遷移金属の塩又は遷移金属の錯体存在下、脱水素化反応によりジナフトチオフェン誘導体(D)を製造する第二工程。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)