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1. (WO2017038175) SOLUTION D'ATTAQUE, SOLUTION DE RÉAPPROVISIONNEMENT ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE CÂBLAGE EN CUIVRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/038175    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/066014
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 31.05.2016
CIB :
C23F 1/18 (2006.01), H05K 3/06 (2006.01)
Déposants : MEC COMPANY LTD. [JP/JP]; 3-4-1, Kuise Minamishimmachi, Amagasaki-shi, Hyogo 6600822 (JP)
Inventeurs : KODERA,Hirofumi; (JP).
KATAYAMA,Ikuyo; (JP).
HISHIKAWA,Shota; (JP)
Mandataire : UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE; First Shin-Osaka MT Bldg. 2nd Floor, 5-13-9 Nishinakajima, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-170227 31.08.2015 JP
Titre (EN) ETCHING SOLUTION, REPLENISHMENT SOLUTION, AND COPPER WIRING FORMATION METHOD
(FR) SOLUTION D'ATTAQUE, SOLUTION DE RÉAPPROVISIONNEMENT ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE CÂBLAGE EN CUIVRE
(JA) エッチング液、補給液及び銅配線の形成方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is a copper etching solution comprising an acid and at least one kind of compound selected from a group consisting of aliphatic noncyclic compounds, aliphatic heterocyclic compounds and hetero-aromatic compounds. The aliphatic noncyclic compounds are C2 to C10 saturated aliphatic noncyclic compounds (A) with at least two nitrogens only as hetero-atoms. Said aliphatic heterocyclic compounds are compounds (B) comprising a five- to seven-membered ring with at least one nitrogen as a hetero-atom configuring the ring. The hetero-aromatic compounds are compounds (C) comprising a hetero-aromatic six-membered ring with at least one nitrogen as a hetero-atom configuring the ring. This copper etching solution provides: an etching solution capable of limiting side-etching without reducing copper wiring linearity (wiring width (W2) of the apex of the copper wiring) and capable of limiting variation in the wiring width (W1) of the bottom of the copper wiring; a replenishment solution therefor; and a copper wiring formation method.
(FR)La présente invention est une solution d'attaque de cuivre comprenant un acide et au moins un type de composé choisi dans le groupe constitué par des composés non cycliques aliphatiques, des composés hétérocycliques aliphatiques et des composés hétéroaromatiques. Les composés non cycliques aliphatiques sont des composés non cycliques aliphatiques saturés en C2 à C10 (A) comportant au moins deux atomes d'azote seulement en tant qu'hétéroatomes. Lesdits composés hétérocycliques aliphatiques sont des composés (B) comprenant un cycle de cinq à sept chaînons comportant au moins un atome d'azote en tant qu'hétéroatome assurant la conformation du cycle. Les composés hétéroaromatiques sont des composés (C) comprenant un cycle hétéroaromatique de six chaînons comportant au moins un atome d'azote en tant qu'hétéroatome assurant la conformation du cycle. Cette solution d'attaque de cuivre fournit : une solution d'attaque susceptible de limiter l'attaque latérale sans réduire la linéarité du câblage en cuivre (largeur de câblage (W2) de la partie supérieure du câblage en cuivre) et susceptible de limiter la variation de largeur du câblage (W1) de la partie inférieure du câblage en cuivre ; une solution de réapprovisionnement en celle-ci ; et un procédé de formation de câblage en cuivre.
(JA)酸と、脂肪族非環式化合物、脂肪族複素環式化合物、及び複素芳香族化合物からなる群より選ばれる1種以上の化合物とを含み、前記脂肪族非環式化合物は、ヘテロ原子として窒素のみを2つ以上有する炭素数2~10の飽和の脂肪族非環式化合物(A)であり、前記脂肪族複素環式化合物は、環を構成するヘテロ原子として窒素を1つ以上有する5~7員環を含む化合物(B)であり、前記複素芳香族化合物は、環を構成するヘテロ原子として窒素を1つ以上有する複素芳香6員環を含む化合物(C)である、銅のエッチング液である。本発明の銅のエッチング液は、銅配線の直線性(銅配線頂部の配線幅(W2))を低下させることなくサイドエッチングを抑制でき、かつ、銅配線底部の配線幅(W1)のばらつきを抑制できるエッチング液とその補給液、及び銅配線の形成方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)