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1. (WO2017038108) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/038108 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/053635
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 08.02.2016
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : SOCIONEXT INC.[JP/JP]; 2-10-23 Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033, JP
Inventeurs : OHIRA, Hikaru; JP
OCHIMIZU, Hirosato; JP
OWADA, Tamotsu; JP
Mandataire : ITOH, Tadashige; JP
Données relatives à la priorité :
2015-17105631.08.2015JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN) Provided is a semiconductor device having a highly reliable through via hole. This semiconductor device has: a semiconductor substrate; first wiring formed in a first wiring layer on the semiconductor substrate; a through via hole, which is penetrating the semiconductor substrate, and is connected to the first wiring; and a first insulating film positioned at an area corresponding to an inter-wiring space of the first wiring, said area being at the interface between the through via hole and the first wiring layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comportant un trou d'interconnexion traversant très fiable. Ce dispositif à semi-conducteur comprend : un substrat semi-conducteur ; un premier câblage formé dans une première couche de câblage sur le substrat semi-conducteur ; un trou d'interconnexion traversant, qui pénètre dans le substrat semi-conducteur et est connecté au premier câblage ; et un premier film isolant positionné au niveau d'une zone correspondant à un espace inter-câblage du premier câblage, ladite zone étant située à l'interface entre le trou d'interconnexion traversant et la première couche de câblage.
(JA) 信頼性の高い貫通ビアを有する半導体装置を提供する。半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上の第1の配線層に形成された第1配線と、前記半導体基板を貫通し前記第1配線に接続される貫通ビアと、前記貫通ビアと前記第1の配線層の界面で、前記第1配線の配線間スペースに対応する箇所に位置する第1の絶縁膜と、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)