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1. (WO2017037917) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/037917    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/075071
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 03.09.2015
CIB :
H02M 1/00 (2007.01), H02M 3/00 (2006.01), H02M 7/48 (2007.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventeurs : NAKASHIMA, Yukio; (JP).
MIKI, Takayoshi; (JP)
Mandataire : TAKAMURA, Jun; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 電力変換装置
Abrégé : front page image
(EN)A power semiconductor module 10A in which one or a plurality of power semiconductor switching elements are accommodated is provided with: a collector main terminal 10A1 and a collector auxiliary terminal 10A3 which are connected to the collector potential of the power semiconductor switching elements; a gate auxiliary terminal 10A4 connected to the gate potential of the power semiconductor switching elements; and an emitter main terminal 10A2 and an emitter auxiliary terminal 10A5 which are connected to the emitter potential of the power semiconductor switching elements. This power conversion device is provided with a voltage-division circuit board which generates a divided voltage obtained by detecting the voltage between the collector auxiliary terminal 10A3 and the emitter auxiliary terminal 10A5, and transmits said divided voltage to a gate drive circuit. The voltage-division circuit board is mounted to the power semiconductor module 10A so as to be electrically connected to the collector auxiliary terminal 10A3 and the emitter auxiliary terminal 10A5. The gate drive circuit 12A changes the drive speed of the power semiconductor switching elements in accordance with the divided voltage outputted by the voltage-division circuit board.
(FR)Un module semi-conducteur de puissance 10A dans lequel sont logés un ou une pluralité d'éléments de commutation de semi-conducteur de puissance est pourvu : d'une borne principale de collecteur 10A1 et d'une borne auxiliaire de collecteur 10A3 qui sont connectées au potentiel de collecteur des éléments de commutation de semi-conducteur de puissance ; d'une borne auxiliaire de grille 10A4 connectée au potentiel de grille des éléments de commutation de semi-conducteur de puissance ; et d'une borne principale d'émetteur 10A2 ainsi que d'une borne auxiliaire d'émetteur 10A5 qui sont connectées au potentiel d'émetteur des éléments de commutation de semi-conducteur de puissance. Ce dispositif de conversion de puissance est pourvu d'une carte de circuit imprimé de division de tension qui produit une tension divisée obtenue en détectant la tension entre la borne auxiliaire de collecteur 10A3 et la borne auxiliaire d'émetteur 10A5, et transmet ladite tension divisée à un circuit d'attaque de grille. La carte de circuit imprimé de division de tension est montée sur le module semi-conducteur de puissance 10A de manière à être électriquement connectée à la borne auxiliaire de collecteur 10A3 et à la borne auxiliaire d'émetteur 10A5. Le circuit d'attaque de grille 12A change la vitesse d'attaque des éléments de commutation de semi-conducteur de puissance en fonction de la tension divisée délivrée en sortie par la carte de circuit imprimé de division de tension.
(JA) 1または複数の電力用半導体スイッチング素子を収容した電力用半導体モジュール10Aは、電力用半導体スイッチング素子のコレクタ電位に接続されるコレクタ主端子10A1およびコレクタ補助端子10A3と、電力用半導体スイッチング素子のゲート電位に接続されるゲート補助端子10A4と、電力用半導体スイッチング素子のエミッタ電位に接続されるエミッタ主端子10A2およびエミッタ補助端子10A5と、を有する。電力変換装置は、コレクタ補助端子10A3とエミッタ補助端子10A5の間の電圧を検知した分圧電圧を生成してゲート駆動回路に伝達する分圧回路基板を有する。分圧回路基板は、コレクタ補助端子10A3およびエミッタ補助端子10A5に電気的に接続されるようにして電力用半導体モジュール10Aに搭載される。ゲート駆動回路12Aは、分圧回路基板が出力する分圧電圧に応じて電力用半導体スイッチング素子の駆動速度を変更する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)