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1. (WO2017037780) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/037780    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/074418
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 28.08.2015
CIB :
H02M 1/00 (2007.01), G01K 7/01 (2006.01), G01K 7/16 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H03K 17/14 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01)
Déposants : SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : KOBAYASHI Yoshinori; (JP)
Mandataire : KATSUNUMA Hirohito; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) POWER CONVERSION DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 電力変換装置、および、半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)This power conversion device is provided with: a semiconductor element that is provided on a substrate; a thermistor element for detecting the temperature of the substrate, said thermistor element being provided on the substrate, and having one end thereof connected to a grounding-side node, and the other end thereof connected to a detection node of the substrate; a current detection resistor, which has one end thereof connected to the grounding-side node, and the other end thereof connected to ground; a first voltage detection unit, which detects a first potential of the other end of the current detection resistor, and a second potential of the grounding-side node, and which outputs first detection signals; a control unit that controls the semiconductor element on the basis of the first detection signals; a temperature detection resistor having one end thereof connected to a reference potential, and the other end thereof connected to the detection node; and a temperature detection unit, which detects temperature on the basis of a third potential of the detection node, and which outputs temperature information signals including information of the temperature thus detected.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de conversion de puissance qui comporte : un élément semi-conducteur qui est disposé sur un substrat ; un élément de thermistance pour la détection de la température du substrat, ledit élément de thermistance étant disposé sur le substrat, et dont une extrémité est connectée à un nœud du côté de mise à la masse, et dont l’autre extrémité est connectée à un nœud de détection du substrat ; une résistance de détection de courant, dont une des extrémités est connectée au nœud du côté de mise à la masse, et dont l’autre extrémité est connectée à la masse ; une première unité de détection de tension, laquelle détecte un premier potentiel de l’autre extrémité de la résistance de détection de courant, et un deuxième potentiel du nœud du côté de mise à la masse, et qui émet de premiers signaux de détection ; une unité de commande qui commande l’élément semi-conducteur sur la base des premiers signaux de détection ; une résistance de détection de température dont une extrémité est connectée à un potentiel de référence, et dont l’autre extrémité est connectée au nœud de détection ; et une unité de détection de température, laquelle détecte la température sur la base d’un troisième potentiel du nœud de détection, et laquelle émet des signaux d’informations de température incluant des informations de la température ainsi détectée.
(JA)電力変換装置は、基板上に設けられた半導体素子と、基板上に設けられ、一端が接地側ノードに接続され、他端が基板の検出ノードに接続され、基板の温度を検出するためのサーミスタ素子と、一端が接地側ノードに接続され、他端が接地に接続された電流検出用抵抗と、電流検出用抵抗の他端の第1の電位及び接地側ノードの第2の電位を検出し、第1の検出信号を出力する第1の電圧検出部と、第1の検出信号に基づいて、半導体素子を制御する制御部と、一端が基準電位に接続され、他端が検出ノードに接続された温度検出用抵抗と、検出ノードの第3の電位に基づいて温度を検出し、検出した温度の情報を含む温度情報信号を出力する温度検出部と、を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)