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1. (WO2017037564) SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE, TRANSISTOR, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/037564    N° de la demande internationale :    PCT/IB2016/054995
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 22.08.2016
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), C01G 15/00 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01), H01L 21/365 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
TSUBUKU, Masashi; (--).
OOTA, Masashi; (JP).
SHIMOMURA, Akihisa; (--).
YAMANE, Yasumasa; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-168931 28.08.2015 JP
2015-256922 28.12.2015 JP
2016-040237 02.03.2016 JP
2016-055215 18.03.2016 JP
Titre (EN) OXIDE SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE, TRANSISTOR, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A novel oxide semiconductor is provided. An oxide semiconductor contains In, an element M (M represents Al, Ga, Y, or Sn), and Zn. The oxide semiconductor has little characteristics variation and structure change and has high electron mobility in the case where the atomic ratio of In to M and Zn in the oxide semiconductor ranges from 4:2:3 to 4:2:4.1 or is a neighborhood thereof.
(FR)L'invention concerne un nouveau semi-conducteur à oxyde. Un semi-conducteur à oxyde contient In, un élément M (M représente Al, Ga, Y, ou Sn), et Zn. Le semi-conducteur à oxyde présente une faible variation de caractéristiques et un faible changement de structure et présente une haute mobilité d'électrons lorsque le rapport atomique de In sur M et Zn dans le semi-conducteur à oxyde est dans la plage de 4:2:3 à 4:2:4,1 ou est voisin de celle-ci.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)