WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017037448) PÉROVSKITE DOUBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/037448    N° de la demande internationale :    PCT/GB2016/052691
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 31.08.2016
CIB :
H01L 51/42 (2006.01), C07F 1/10 (2006.01), C07F 5/00 (2006.01)
Déposants : OXFORD UNIVERSITY INNOVATION LIMITED [GB/GB]; Buxton Court 3 West Way Oxford OX2 0JB (GB)
Inventeurs : SNAITH, Henry James; (GB).
HAGIGHIRAD, Amir Abbas; (GB).
GIUSTINO, Feliciano; (GB).
FILIP, Marina; (GB).
VOLONAKIS, George; (GB)
Mandataire : SILCOCK, Peter James; (GB)
Données relatives à la priorité :
1515546.8 02.09.2015 GB
1603804.4 04.03.2016 GB
Titre (EN) DOUBLE PEROVSKITE
(FR) PÉROVSKITE DOUBLE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a semiconductor device comprising a semiconducting material, wherein the semiconducting material comprises a compound comprising: (i) one or more first monocations [A]; (ii) one or more second monocations [BI]; (iii) one or more trications [BIII]; and (iv) one or more halide anions [X]. The invention also relates to a process for producing a semiconductor device comprising said semiconducting material. Also described is a compound comprising: (i) one or more first monocations [A]; (ii) one or more second monocations [BI] selected from Cu+, Ag+ and Au+; (iii) one or more trications [BIII]; and (iv) one or more halide anions [X].
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un matériau semi-conducteur, le matériau semi-conducteur comprenant un composé comprenant : (i) un ou plusieurs premiers monocations [A] ; (ii) un ou plusieurs seconds monocations [BI] ; (iii) un ou plusieurs trications [BIII] ; et (iv) un ou plusieurs anions halogénure [X]. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comprenant ledit matériau semi-conducteur. L'invention concerne également un composé comprenant : (i) un ou plusieurs premiers monocations [A] ; (ii) un ou plusieurs seconds monocations [BI] sélectionnés parmi Cu+, Ag+ et Au+ ; (iii) un ou plusieurs trications [BIII] ; et (iv) un ou plusieurs anions halogénure [X].
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)