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1. (WO2017036729) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE RÉSEAUX À RAPPORT D'ASPECT ÉLEVÉ POUR IMAGERIE À CONTRASTE DE PHASE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/036729 N° de la demande internationale : PCT/EP2016/068658
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 04.08.2016
CIB :
G02B 5/18 (2006.01) ,B82Y 10/00 (2011.01) ,B82Y 40/00 (2011.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
5
Eléments optiques autres que les lentilles
18
Grilles de diffraction
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
10
Nanotechnologie pour le traitement, le stockage ou la transmission d’informations, p.ex. calcul quantique ou logique à un électron
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
40
Fabrication ou traitement des nanostructures
Déposants :
PAUL SCHERRER INSTITUT [CH/CH]; 5232 Villigen, CH
Inventeurs :
JEFIMOVS, Konstantins; CH
KAGIAS, Matias; CH
ROMANO, Lucia; IT
STAMPANONI, Marco; CH
Mandataire :
FISCHER, Michael; DE
Données relatives à la priorité :
15183242.501.09.2015EP
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING HIGH ASPECT RATIO GRATINGS FOR PHASE CONTRAST IMAGING
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE RÉSEAUX À RAPPORT D'ASPECT ÉLEVÉ POUR IMAGERIE À CONTRASTE DE PHASE
Abrégé :
(EN) A method with several options to manufacture high aspect ratio structures is proposed. The method is based on fabrication of high aspect ratio recess structure in silicon by dry or chemical etching and then filling the high aspect ratio recess with metal by using electroplating, atomic layer deposition, wafer bonding, metal casting or combination of these techniques. The gratings can be used for x-ray or neutron imaging, as well as for space applications.
(FR) La présente invention a trait à un procédé ayant plusieurs options pour la fabrication de structures à rapport d'aspect élevé. Le procédé est basé sur la fabrication d'une structure évidée à rapport d'aspect élevé dans du silicium grâce à une gravure sèche ou chimique, puis grâce au remplissage de l'évidement à rapport d'aspect élevé à l'aide d'un métal par dépôt électrolytique, par dépôt de couche atomique, par connexion sur plaquette, par coulée de métal ou par association de ces techniques. Les réseaux peuvent être utilisés dans l'imagerie par rayons X ou l'imagerie neutronique, ainsi que dans des applications spatiales.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)