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1. (WO2017036055) STRUCTURE THERMOCONDUCTRICE ET DISPOSITIF DE DISSIPATION DE CHALEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/036055    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/000467
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 18.08.2016
CIB :
H05K 7/20 (2006.01)
Déposants : CNANO (ZHENJIANG) TECHNOLOGY LTD. [CN/CN]; No.113, Qinglongshan Road, New District Zhenjiang, Jiangsu 212000 (CN)
Inventeurs : CAI, Weizheng; (CN).
YANG, Zhiwei; (CN).
ZHENG, Tao; (CN).
MAO, Ou; (CN).
ZHANG, Meijie; (CN)
Mandataire : CHINA ELITES INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; (CN)
Données relatives à la priorité :
201510549129.2 31.08.2015 CN
Titre (EN) THERMALLY CONDUCTIVE STRUCTURE AND HEAT DISSIPATION DEVICE
(FR) STRUCTURE THERMOCONDUCTRICE ET DISPOSITIF DE DISSIPATION DE CHALEUR
(ZH) 导热结构及散热装置
Abrégé : front page image
(EN)A thermally conductive structure (1) and heat dissipation device (2). The thermally conductive structure (1) comprises a first thermally conductive layer (11) and a second thermally conductive layer (12). The first thermally conductive layer (11) comprises a graphene material (111) and first carbon nanotubes (112), and the first carbon nanotubes (112) are dispersed in the graphene material (111). The second thermally conductive layer (12) is stacked on the first thermally conductive layer (11), and comprises a porous material (121) and second carbon nanotubes (122). The second carbon nanotubes (122) are dispersed in the porous material (121). The heat dissipation device (2) comprises the thermally conductive structure (1) and a heat dissipation structure (4). The thermally conductive structure (1) is in contact with a heat source, and the heat dissipation structure (4) is connected to the thermally conductive structure (1). The thermally conductive structure (1) and heat dissipation device (2) have a feature of being slim, and meet the slim and lightweight requirement of modern electronic products.
(FR)L'invention concerne une structure thermoconductrice (1) et un dispositif de dissipation de chaleur (2). La structure thermoconductrice (1) comprend une première couche thermoconductrice (11) et une seconde couche thermoconductrice (12). La première couche thermoconductrice (11) comprend un matériau graphène (111) et des premiers nanotubes de carbone (112), et les premiers nanotubes de carbone (112) sont dispersés dans le matériau graphène (111). La seconde couche thermoconductrice (12) est empilée sur la première couche thermoconductrice (11), et comprend un matériau poreux (121) et des seconds nanotubes de carbone (122). Les seconds nanotubes de carbone (122) sont dispersés dans le matériau poreux (121). Le dispositif de dissipation de chaleur (2) comprend la structure thermoconductrice (1) et une structure de dissipation de chaleur (4). La structure thermoconductrice (1) est en contact avec une source de chaleur, et la structure de dissipation de chaleur (4) est reliée à la structure thermoconductrice (1). La structure thermoconductrice (1) et le dispositif de dissipation de chaleur (2) ont pour caractéristique d'être minces, et satisfont l'exigence de minceur et de légèreté de produits électroniques modernes.
(ZH)一种导热结构(1)及散热装置(2)。该导热结构(1)包括一个第一导热层(11)以及一个第二导热层(12)。第一导热层(11)包含一石墨烯材料(111)和第一碳米管(112),所述第一碳纳米管(112)分散于所述石墨烯材料(111)中。所述第二导热层(12)叠设于第一导热层(11)上,并包含一多孔材料(121)和第二碳纳米管(122),所述第二碳纳米管(122)分散在所述多孔材料(121)中。一种散热装置(2),该散热装置(2)包括所述导热结构(1)和一散热结构(4)。所述导热结构(1)与热源接触,散热结构(4)与导热结构(1)连接。该导热结构(1)及散热装置(2)具有薄型化的特点而符合现今薄型化电子产品轻薄化的要求。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)