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1. (WO2017036033) STRUCTURE DE PIXEL DE DÉTECTEUR D'IMAGERIE HYBRIDE ÉCLAIRÉ PAR L'ARRIÈRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/036033    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/099476
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 29.12.2015
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/09 (2006.01), B81B 7/02 (2006.01)
Déposants : SHANGHAI IC R & D CENTER CO., LTD. [CN/CN]; 497 Gaosi Road Zhangjiang Hi-Tech Park Shanghai 201210 (CN)
Inventeurs : XIAOXU, Kang; (CN)
Mandataire : SHANGHAI TIANCHEN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY; 3302 Tower 1 No. 388 Zhongjiang Road, Putuo Shanghai 200062 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510547858.4 31.08.2015 CN
Titre (EN) PIXEL STRUCTURE OF BACK-ILLUMINATED HYBRID-IMAGING DETECTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE DE PIXEL DE DÉTECTEUR D'IMAGERIE HYBRIDE ÉCLAIRÉ PAR L'ARRIÈRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 背照式混合成像探测器像元结构及其制备方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a pixel structure of a back-illuminated hybrid-imaging detector and manufacturing method thereof, wherein a semiconductor substrate (100) is used as a visible light filtering layer to integrate a visible light sensing region and an infrared sensing region in a chip without disposing an additional visible light filtering layer, thus lowering a device volume, reducing the number of process steps and saving costs. By removing a dielectric layer (104) and an isolation layer (101) below an infrared sensing structure to form a hollowed-out region, a first cavity (103) is formed between the hollowed-out region and the infrared sensing structure, such that infrared light after the filtering of the semiconductor substrate (100) does not have to pass through another material, thereby preventing loss of the infrared light, improving imaging quality of an infrared sensing component, and making a microscale chip combining visible light imaging and infrared imaging a possibility.
(FR)La présente invention concerne une structure de pixel d'un détecteur d'imagerie hybride éclairé par l'arrière et son procédé de fabrication. Un substrat semi-conducteur (100) est utilisé comme couche de filtrage de lumière visible afin d'intégrer une région de détection de lumière visible et une région de détection infrarouge dans une puce sans disposer une couche de filtrage de lumière visible supplémentaire, ce qui permet de réduire le volume du dispositif, de réduire le nombre d'étapes de traitement et de réduire les coûts. Par enlèvement d'une couche diélectrique (104) et d'une couche d'isolation (101) au-dessous d'une structure de détection infrarouge pour former une région évidée, une première cavité (103) est formée entre la région évidée et la structure de détection infrarouge, de manière que la lumière infrarouge après filtrage par le substrat semi-conducteur (100) n'ait pas à passer à travers un autre matériau, ce qui permet d'empêcher les pertes de lumière infrarouge, d'améliorer la qualité d'imagerie d'un composant de détection infrarouge, et de rendre possible une puce à l'échelle microscopique combinant l'imagerie en lumière visible et l'imagerie infrarouge.
(ZH)提供了一种背照式混合成像探测器像元结构及其制备方法,将可见光感应区域和红外感应区域集成在芯片中,采用半导体衬底(100)作为可见光过滤层,而无需额外设置可见光过滤层,减小了器件体积、减少了工艺步骤和节约了成本;通过将红外感应结构下方的介质层(104)和隔离层(101)去除,以形成镂空区域,镂空区域和红外感应结构之间构成第一空腔(103),从而使得经半导体衬底(100)过滤后的红外光无需通过其它材料,进而避免红外光的损失,从而提高了红外感应部件的成像质量,而且使可见光红外混合成像微型化、芯片化成为可能。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)