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1. (WO2017035959) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/035959    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/095247
Date de publication : 09.03.2017 Date de dépôt international : 23.11.2015
CIB :
H01L 27/115 (2017.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road,Chaoyang District Beijing 100029 (CN)
Inventeurs : YE, Tianchun; (CN)
Mandataire : BEIJING BLUEIP INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY FIRM; CHEN Hong Room 1803, No. 4 Building, No. 1 Shangdi Shi Avenue, Haidian District Beijing 100085 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510560954.2 06.09.2015 CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 半导体器件及其制造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a semiconductor device and a manufacturing method therefor. The semiconductor device comprises a substrate (1), a source-drain region, a channel region (5), a gate dielectric layer (4), and a gate conductive layer. The gate dielectric layer (4) comprises a blocking layer (4A), a storage layer (4B), a first interface layer (4IF1), a tunneling layer (4C), and a second interface layer (4IF2). According to the semiconductor device and the manufacturing method therefor in the present invention, technological processes are adjusted, that are, an interface layer is additionally disposed between the storage layer (4B) and the tunneling layer (4C) in the gate dielectric layer (4) and the nitrogen peak concentration and the position of the tunneling layer (4C) are flexibly adjusted, and accordingly, the interface quality between the storage layer (4B) and the tunneling layer (4C) in the gate dielectric layer (4) can be effectively improved, the process flexibility is enhanced, and the reliability and the current characteristic of the device are improved.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur et son procédé de fabrication. Le dispositif à semi-conducteur comprend un substrat (1), une zone de source-drain, une zone de canal (5), une couche diélectrique de grille (4) et une couche conductrice de grille. La couche diélectrique de grille (4) comprend une couche de blocage (4A), une couche de stockage (4B), une première couche d'interface (4IF1), une couche à effet tunnel (4C) et une seconde couche d'interface (4IF2). Selon le dispositif à semi-conducteur et son procédé de fabrication de la présente invention, des processus technologiques sont réglés, à savoir, une couche d'interface est disposée en supplément entre la couche de stockage (4B) et la couche à effet tunnel (4C) dans la couche diélectrique de grille (4) et la concentration maximale en azote et la position de la couche à effet tunnel (4C) sont réglées de manière flexible, et en conséquence, la qualité d'interface entre la couche de stockage (4B) et la couche à effet tunnel (4C) dans la couche diélectrique de grille (4) peut être efficacement améliorée, la flexibilité du processus est augmentée, et la fiabilité et la caractéristique de courant du dispositif sont améliorées.
(ZH)提供一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括衬底(1)、源漏区、沟道区(5)、栅极介质层(4)和栅极导电层,其中,栅极介质层(4)包括阻挡层(4A)、存储层(4B)、第一界面层(4IF1)、隧穿层(4C)、第二界面层(4IF2)。依照本发明的半导体器件及其制造方法,调整工艺步骤在栅极介质层(4)中存储层(4B)与隧穿层(4C)之间增加界面层并灵活调整隧穿层氮峰值浓度和位置,能够有效提高栅极介质层(4)中存储层(4B)与隧穿层(4C)之间的界面质量,增加工艺灵活性,改善器件可靠性和电流特性。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)