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1. (WO2017034929) ESPACEMENT NON UNIFORME DANS DES PILES DE TRANSISTORS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/034929    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/047621
Date de publication : 02.03.2017 Date de dépôt international : 18.08.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01)
Déposants : SKYWORKS SOLUTIONS, INC. [US/US]; 20 Sylvan Road Woburn, Massachusetts 01801 (US)
Inventeurs : WHITEFIELD, David Scott; (US)
Mandataire : HALE, Alan T.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/208,540 21.08.2015 US
Titre (EN) NON-UNIFORM SPACING IN TRANSISTOR STACKS
(FR) ESPACEMENT NON UNIFORME DANS DES PILES DE TRANSISTORS
Abrégé : front page image
(EN)Field effect transistor stacks include a first field-effect transistor having a source finger, a drain finger, and a gate finger interposed therebetween, the source finger and the drain finger of the first field-effect transistor being separated by a first drain-to- source distance, and a second field-effect transistor in a series connection with the first field-effect transistor, the second field-effect transistor having a source finger, a drain finger, and a gate finger interposed therebetween, the source finger and the drain finger of the second field-effect transistor being separated by a second drain-to-source distance that is different than the first drain-to-source distance.
(FR)La présente invention concerne des piles de transistors à effet de champ qui comportent un premier transistor à effet de champ ayant un doigt de source, un doigt de drain et un doigt de grille interposé entre eux, le doigt de source et le doigt de drain du premier transistor à effet de champ étant séparés d'une première distance entre drain et source, ainsi qu'un second transistor à effet de champ dans une connexion en série avec le premier transistor à effet de champ, le second transistor à effet de champ ayant un doigt de source, un doigt de drain et un doigt de grille interposé entre eux, le doigt de source et le doigt de drain du second transistor à effet de champ étant séparés par une seconde distance entre drain et source qui est différente de la première distance entre drain et source.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)