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1. (WO2017034795) LDO UNIQUE POUR DOMAINES DE TENSION MULTIPLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/034795    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/046205
Date de publication : 02.03.2017 Date de dépôt international : 09.08.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.05.2017    
CIB :
G05F 1/575 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : MAHMOUDI, Farsheed; (US).
SHAHROKHINIA, Sassan; (US).
DOYLE, James Thomas; (US)
Mandataire : WORLEY, Eugene; (US)
Données relatives à la priorité :
14/831,874 21.08.2015 US
Titre (EN) SINGLE LDO FOR MULTPLE VOLTAGE DOMAINS
(FR) LDO UNIQUE POUR DOMAINES DE TENSION MULTIPLES
Abrégé : front page image
(EN)Low dropout (LDO) regulators are described herein for providing regulated voltages for multiple voltage domains. In one embodiment, a voltage regulator comprises a plurality of pass transistors, each of the plurality of pass transistors being coupled between an input supply rail and a respective one of a plurality of regulator outputs. The voltage regulator also comprises a plurality of averaging resistors configured to average a plurality of feedback voltages to generate an average feedback voltage, wherein each of the plurality of feedback voltages provides voltage feedback for a respective one of the plurality of regulator outputs. The voltage regular further comprises an amplifier having a first input coupled to the average feedback voltage, and a second input coupled to a reference voltage, wherein the amplifier is configured to drive the plurality of pass transistors in a direction that reduces a difference between the reference voltage and the average feedback voltage.
(FR)La présente invention concerne des régulateurs à faible chute de tension (LDO) permettant de fournir des tensions régulées pour des domaines de tension multiples. Dans un mode de réalisation, un régulateur de tension comprend une pluralité de transistors de chute, chaque transistor parmi la pluralité de transistors de chute étant couplé entre un rail d'alimentation d'entrée et une sortie respective parmi une pluralité de sorties de régulateur. Le régulateur de tension comprend également une pluralité de résistances d'établissement de moyenne conçues pour établir la moyenne d'une pluralité de tensions de rétroaction en vue de générer une tension de rétroaction moyenne, chaque tension parmi la pluralité de tensions de rétroaction fournissant une rétroaction de tension pour une sortie respective parmi la pluralité de sorties de régulateur. Le régulateur de tension comprend en outre un amplificateur présentant une première entrée couplée à la tension de rétroaction moyenne, et une seconde entrée couplée à une tension de référence, l'amplificateur étant conçu pour attaquer la pluralité de transistors de chute dans une direction qui réduit une différence entre la tension de référence et la tension de rétroaction moyenne.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)