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1. (WO2017034741) DISPOSITIF DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE À ÉLÉMENT DE MÉMORISATION REPOSANT SUR UNE RÉSISTANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/034741    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/044258
Date de publication : 02.03.2017 Date de dépôt international : 27.07.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    31.05.2017    
CIB :
H01L 45/00 (2006.01), H01L 27/24 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : LU, Yu; (US).
LI, Xia; (US).
KANG, Seung Hyuk; (US)
Mandataire : MOORE, Jason L.; (US).
JEFFREY G. TOLER; 8500 Bluffstone Cove Suite A201 Austin, TX 78759 (US).
TOLER, JEFFREY G.; 8500 Bluffstone Cove Suite A201 Austin, TX 78759 (US)
Données relatives à la priorité :
14/835,314 25.08.2015 US
Titre (EN) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE WITH RESISTANCE-BASED STORAGE ELEMENT AND METHOD OF FABRICATING SAME
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE À ÉLÉMENT DE MÉMORISATION REPOSANT SUR UNE RÉSISTANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A method of fabrication of a device includes forming a first electrode (158) and a second electrode (162). The method further includes forming a resistive material (160) between the first electrode and the second electrode to form a resistance-based storage element (104) of a resistive random access memory (RRAM) device.
(FR)Un procédé de fabrication d'un dispositif consiste à former une première électrode (158) et une seconde électrode (162). Le procédé consiste en outre à former un matériau résistif (160) entre la première électrode et la seconde électrode de manière à former un élément de mémorisation (104) reposant sur une résistance d'un dispositif de mémoire vive résistive (RRAM).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)