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1. (WO2017034654) EMPILEMENT EN 3D INDÉPENDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/034654    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/037690
Date de publication : 02.03.2017 Date de dépôt international : 15.06.2016
CIB :
H01L 23/00 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/10 (2006.01), H01L 25/00 (2006.01), H01L 23/498 (2006.01), H01L 21/48 (2006.01)
Déposants : APPLE INC. [US/US]; 1 Infinite Loop Cupertino, California 95014 (US)
Inventeurs : LAI, Kwan-Yu; (US).
ZHAI, Jun; (US).
HU, Kunzhong; (US)
Mandataire : AIKIN, Jacob T.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/208,544 21.08.2015 US
14/935,310 06.11.2015 US
Titre (EN) INDEPENDENT 3D STACKING
(FR) EMPILEMENT EN 3D INDÉPENDANT
Abrégé : front page image
(EN)Packages and 3D die stacking processes are described. In an embodiment, a package includes a second level die hybrid bonded to a first package level including a first level die encapsulated in an oxide layer, and a plurality of through oxide vias (TOVs) extending through the oxide layer. In an embodiment, the TOVs and the first level die have a height of about 20 microns or less.
(FR)L'invention porte sur des boîtiers et sur des procédés d'empilage de puces en 3D. Dans un mode de réalisation, un boîtier comprend une puce de second niveau, collée de façon hybride à un premier niveau de boîtier comprenant une puce de premier niveau encapsulée dans une couche d'oxyde, une pluralité de trous d'interconnexion à travers l'oxyde (TOV) s'étendant à travers la couche d'oxyde. Dans un mode de réalisation, les TOV et la puce de premier niveau ont une hauteur d'environ 20 microns ou moins.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)