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1. (WO2017034533) TEXTURATION DU DOS D'UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/034533    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/046438
Date de publication : 02.03.2017 Date de dépôt international : 22.08.2015
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325 (JP).
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741 (US) (JP only)
Inventeurs : FONSECA, Carlos A.; (US).
RATHSACK, Benjamen; (US).
SMITH, Jeffrey; (US).
DEVILLIERS, Anton J.; (US).
HULI, Lior; (US).
KODAMA, Teruhiko; (JP).
HOOGE, Joshua, S.; (US)
Mandataire : MEHIGAN, Jason D.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/833,044 22.08.2015 US
Titre (EN) SUBSTRATE BACKSIDE TEXTURING
(FR) TEXTURATION DU DOS D'UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments described relate to a method and apparatus for reducing lithographic distortion. A backside of a semiconductor substrate may be texturized. Then a lithographic process may be performed on the semiconductor substrate having the texturized backside.
(FR)Selon des modes de réalisation, l'invention concerne un procédé et un appareil destinés à réduire la distorsion lithographique. Le dos d'un substrat semi-conducteur peut être texturé. Un traitement lithographique peut ensuite être effectué sur le substrat semi-conducteur dont le dos est texturé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)