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1. (WO2017034157) COMPOSITION DE SUSPENSION DE PMC POUR FILM ORGANIQUE, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE D’UN FILM ORGANIQUE L’UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/034157    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/007937
Date de publication : 02.03.2017 Date de dépôt international : 21.07.2016
CIB :
C09K 3/14 (2006.01), B24B 37/04 (2012.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/321 (2006.01)
Déposants : SAMSUNG SDI CO., LTD. [KR/KR]; 150-20, Gongse-ro, Giheung-gu Yongin-si Gyeonggi-do 17084 (KR)
Inventeurs : DO, Keun Bong; (KR).
KIM, Dong Jin; (KR).
JUNG, Young Chul; (KR).
YOO, Yong Sik; (KR).
CHOI, Jung Min; (KR)
Mandataire : AJU INT'L LAW & PATENT GROUP; 12-13th Floor, Gangnam Mirae Tower, 174 Saimdang- Ro Seocho-Gu Seoul 06627 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0118245 21.08.2015 KR
Titre (EN) CMP SLURRY COMPOSITION FOR ORGANIC FILM, PREPARATION METHOD THEREFOR, AND METHOD FOR POLISHING ORGANIC FILM BY USING SAME
(FR) COMPOSITION DE SUSPENSION DE PMC POUR FILM ORGANIQUE, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION, ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE D’UN FILM ORGANIQUE L’UTILISANT
(KO) 유기막용 CMP 슬러리 조성물, 그 제조방법, 및 이를 이용한 유기막 연마 방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to an organic film CMP slurry comprising an oxidant and a solvent. The organic film CMP slurry of the present invention has a ΔθW, of approximately 5-90°, which is the amount of change in water contact angle, represented by formula (1), and measured after a wafer, coated with an organic film and to be polished, is dipped in the CMP slurry for 10 hours.
(FR)La présente invention concerne une suspension de PMC pour film organique comprenant un oxydant et un solvant. La suspension de PMC pour film organique de la présente invention présente un ΔθW, d’approximativement 5 à 90°, qui est la quantité de changement au niveau de l’angle de contact avec l’eau, représenté par la formule (1), et mesuré après qu’une galette, enduite d’un film organique et à polir, a été immergée dans la suspension de PMC durant 10 heures.
(KO)본 발명은 산화제 및 용매를 포함하는 유기막용 CMP 슬러리에 관한 것으로, 상기 본 발명의 유기막용 CMP 슬러리는 상기 CMP 슬러리에 피연마 대상인 유기막이 코팅된 웨이퍼를 10시간 동안 침지한 후에 측정한 식 (1)로 표시되는 수 접촉각의 변화량 ΔθW가 약 5° 내지 약 90°이다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)