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1. (WO2017034122) TRANSISTOR EN COUCHES MINCES ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/034122    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/005357
Date de publication : 02.03.2017 Date de dépôt international : 20.05.2016
CIB :
G02F 1/1368 (2006.01)
Déposants : LG DISPLAY CO.,LTD. [KR/KR]; 128, Yeoui-daero Yeongdeungpo-gu Seoul 07336 (KR)
Inventeurs : LEE, Sang Gul; (KR).
YU, Sang Hee; (KR).
KIM, Gwang Tae; (KR).
YOO, Yeon Taek; (KR).
KIM, Nam Su; (KR).
CHO, Suk Ho; (KR).
CHOI, Hoon; (KR).
SHIN, Hyun Jin; (KR).
LIM, Hwa Chun; (KR)
Mandataire : INVENTUS INTELLECTUAL PROPERTY GROUP; 5F, Jaesong Bldg., 425, Eonju-ro Gangnam-gu Seoul 06222 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0120262 26.08.2015 KR
10-2016-0053556 29.04.2016 KR
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR EN COUCHES MINCES ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(KO) 박막 트랜지스터 및 표시 장치
Abrégé : front page image
(EN)According to an embodiment of the present invention, a thin film transistor including a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode in a non-pixel region of a substrate comprises: a first insulating layer for insulating the gate electrode from the source electrode and the drain electrode; and a second insulating layer for covering the source electrode and the drain electrode. According to an embodiment of the present invention, the first insulating layer and the second insulating layer are configured so as not to extend to the pixel region so that oscillation of the substrate with respect to a viewing angle which can be generated when specific light of the light source passes through the pixel region is minimized.
(FR)Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un transistor en couches minces incluant une électrode de grille, une couche active, une électrode de source et une électrode de drain dans une région sans pixels d'un substrat et qui comprend : une première couche isolante pour isoler l'électrode de grille de l'électrode de source et de l'électrode de drain ; et une deuxième couche isolante pour recouvrir l'électrode de source et l'électrode de drain. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la première couche isolante et la deuxième couche isolante sont conçues de sorte qu'elles ne s'étendent pas vers la région de pixels afin de minimaliser l'oscillation du substrat par rapport à un angle de visualisation, ladite oscillation pouvant être générée lorsqu'une lumière spécifique de la source lumineuse traverse la région de pixels.
(KO)본 발명의 일 실시예에 따라, 기판의 비 화소 영역에, 게이트 전극, 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터는, 상기 게이트 전극과, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 절연하는 제1 절연층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮는 제2 절연층을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판에 대하여, 광원의 특정 광이 화소 영역으로 통과하면서 발생 가능한 시야각에 따른 투과율 변동(oscillation)이 최소화되도록, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 상기 화소 영역으로 연장되지 않도록 구성된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)