WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017033979) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/033979    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/074697
Date de publication : 02.03.2017 Date de dépôt international : 24.08.2016
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039 (JP)
Inventeurs : HASHIMOTO Yoshitomo; (JP).
HIROSE Yoshiro; (JP)
Mandataire : FUKUOKA Masahiro; (JP).
ANIYA Setuo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-166795 26.08.2015 JP
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
Abrégé : front page image
(EN)The present invention includes the following: a step for supplying an inert gas through a first supply pipe to inside a tank that stores a raw material, while supplying the raw material through a second supply pipe, connected by a connection pipe to the first supply pipe, from inside the tank to a processing chamber, evacuating the inert gas from the processing chamber, and thereby processing a substrate housed inside the processing chamber; and a step for purging the first supply pipe, the connection pipe, and the second supply pipe by alternately performing a step for supplying the inert gas, which has been heated, to inside the first supply pipe, the connection pipe, and the second supply pipe and then evacuating the inert gas, and a step for performing vacuum drawing in the first supply pipe, the connection pipe, and the second supply pipe.
(FR)La présente invention comprend les étapes suivantes : une étape consistant à introduire un gaz inerte par un premier tuyau d'alimentation à l'intérieur d'un réservoir qui stocke une matière première, tout en introduisant la matière première par un second tuyau d'alimentation, raccordé par un tuyau de raccordement au premier tuyau d'alimentation, de l'intérieur du réservoir à une chambre de traitement, à évacuer le gaz inerte de la chambre de traitement, et à traiter ainsi un substrat logé à l'intérieur de la chambre de traitement; et une étape consistant à purger le premier tuyau d'alimentation, le tuyau de raccordement et le second tuyau d'alimentation par exécution alternativement d'une étape consistant à introduire le gaz inerte, qui a été chauffé, à l'intérieur du premier tuyau d'alimentation, du tuyau de raccordement et du second tuyau d'alimentation et à évacuer ensuite le gaz inerte, et d'une étape consistant à effectuer une mise sous vide dans le premier tuyau d'alimentation, le tuyau de raccordement et le second tuyau d'alimentation.
(JA)原料を収容したタンク内へ第1供給管を介して不活性ガスを供給しつつ、タンク内から処理室内へ第1供給管と接続管で接続された第2供給管を介して原料を供給し処理室内から排気して、処理室内に収容された基板を処理する工程と、第1供給管内、接続管内、および第2供給管内へ、加熱された不活性ガスを供給し排気する工程と、第1供給管内、接続管内、および第2供給管内を真空引きする工程と、を交互に繰り返すことで、第1供給管内、接続管内、および第2供給管内をパージする工程と、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)