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1. (WO2017033922) PROCÉDÉ PERMETTANT DE DÉTECTER UNE SUBSTANCE CIBLE À L'AIDE D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/033922    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/074493
Date de publication : 02.03.2017 Date de dépôt international : 23.08.2016
CIB :
G01N 27/416 (2006.01), G01N 27/414 (2006.01)
Déposants : THE UNIVERSITY OF TOKYO [JP/JP]; 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku Tokyo 1138654 (JP)
Inventeurs : SAKATA, Toshiya; (JP).
MIYAZAWA, Yuya; (JP).
MAEKAWA, Yuki; (JP)
Mandataire : NANJO, Masahiro; (JP).
SETA, Ayako; (JP).
IHA, Koichiro; (JP).
HARA, Hokuto; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-164466 24.08.2015 JP
Titre (EN) METHOD OF DETECTING TARGET SUBSTANCE USING FIELD-EFFECT TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE DÉTECTER UNE SUBSTANCE CIBLE À L'AIDE D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
(JA) 電界効果トランジスタを用いた目的物質の検出方法
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a novel method for detecting the presence or absence of a target substance in a test sample, using a field-effect transistor. [Solution] Provided is a method characterized by including: (a) a step in which a complex including magnetic particles and a factor which binds specifically to the target substance is brought into contact with a test sample in a solvent; (b) a step in which, after step (a), the solvent is removed and the complex is dispersed in water having a specific resistance of at least 1 MΩ·cm; (c) a step in which, after step (b), the electrical characteristics of the complex are measured using the field-effect transistor while a magnetic force is used to bring the complex into close contact with the surface of the gate electrode of the field-effect transistor; and (d) a step in which the presence or absence of the target substance in the test sample is detected by comparing the electrical characteristics measured in (c) with electrical characteristics obtained in a control experiment in which the complex is not brought into contact with the target substance.
(FR)Le problème à résoudre dans le cadre de la présente invention consiste à fournir un nouveau procédé permettant de détecter la présence ou l'absence d'une substance cible dans un échantillon pour essai, à l'aide d'un transistor à effet de champ. La solution consiste en un procédé caractérisé en ce qu'il comprend : (a) une étape au cours de laquelle un complexe comprenant des particules magnétiques et un facteur qui se lie de façon spécifique à la substance cible, est mis en contact avec un échantillon pour essai dans un solvant ; (b) une étape au cours de laquelle, après l'étape (a), le solvant est éliminé et le complexe est dispersé dans de l'eau présentant une résistance spécifique d'au moins 1 MΩ·cm (c) une étape au cours de laquelle, après l'étape (b), les caractéristiques électriques du complexe sont mesurées à l'aide du transistor à effet de champ tandis qu'une force magnétique est utilisée pour mettre le complexe en contact étroit avec la surface de l'électrode de grille du transistor à effet de champ ; et (d) une étape au cours de laquelle la présence ou l'absence de la substance cible dans l'échantillon pour essai est détectée en comparant les caractéristiques électriques mesurées à l'étape (c) avec des caractéristiques électriques obtenues dans une expérience témoin dans laquelle le complexe n'est pas mis en contact avec la substance cible.
(JA)【課題】 電界効果トランジスタを用いて、被験試料中の目的物質の存在・不存在を検出する新規な方法を提供する。 【解決手段】 (a)溶媒中で、前記目的物質に特異的に結合する因子と磁性粒子とを含む複合体と、被験試料とを接触させるステップ;(b)ステップ(a)の後、前記溶媒を除去し、前記複合体を比抵抗が1MΩ・cm以上の水に分散させるステップ;(c)ステップ(b)の後、磁力により、前記複合体を前記電界効果トランジスタのゲート電極表面に密着させながら、前記複合体の電気的特性を前記電界効果トランジスタで測定するステップ;(d)(c)において測定される電気的特性を、前記複合体を目的物質と接触させない場合の対照実験における電気的特性と比較することにより、前記被験試料中の前記目的物質の存在・不存在を検出するステップ、を含むことを特徴とする、方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)