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1. (WO2017033575) DISPOSITIF À ONDE ÉLASTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/033575    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/069630
Date de publication : 02.03.2017 Date de dépôt international : 01.07.2016
CIB :
H03H 9/25 (2006.01), H01L 23/28 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : NISHI, Hiroyuki; (JP).
WATANABE, Kazushi; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-165531 25.08.2015 JP
Titre (EN) ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDE ÉLASTIQUE
(JA) 弾性波装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an elastic wave device which has enhanced reliability, while being reduced in height. This elastic wave device 1 is provided with a sealing member 8 which seals first and second elastic wave elements 2A, 2B mounted on a mounting surface 3a, and which has first and second surfaces 8a, 8b, with the second surface 8b being provided with an engraved mark Z1. The first elastic wave element 2A comprises a first piezoelectric substrate 4A that is formed from LiNbO3, and the second elastic wave element 2B comprises a second piezoelectric substrate 4B that is formed from LiNbO3 or LiTaO3. The thickness of the first piezoelectric substrate 4A is larger than the thickness of the second piezoelectric substrate 4B. If the second surface 8b of the sealing member 8 faces upward and the first surface 8a faces downward, the thickness of the sealing member 8 positioned above the first piezoelectric substrate 4A is smaller than the thickness of the sealing member 8 positioned above the second piezoelectric substrate 4B. The first piezoelectric substrate 4A and the engraved mark Z1 do not overlap each other when viewed in plan from the second surface 8b.
(FR)L’invention concerne un dispositif à onde élastique dont la fiabilité est renforcée, tandis que sa hauteur est réduite. Ce dispositif à onde élastique (1) comporte un organe étanche (8) qui scelle des premier et deuxième éléments (2A, 2B) à onde élastique montés sur une surface de montage (3a), et qui comporte des première et deuxième surfaces (8a, 8b), la deuxième surface (8b) comportant une marque (Z1) gravée. Le premier élément (2A) à onde élastique comprend un premier substrat piézoélectrique (4A) qui est formé à partir de LiNbO3, et le deuxième élément (2B) à onde élastique comprend un deuxième substrat piézoélectrique (4B) qui est formé à partir de LiNbO3 ou de LiTaO3. L’épaisseur du premier substrat piézoélectrique (4A) est supérieure à l’épaisseur du deuxième substrat piézoélectrique (4B). Si la deuxième surface (8b) de l’organe étanche (8) est tournée vers le haut et que la première surface (8a) est tournée vers le bas, l’épaisseur de l’organe étanche (8) positionné au-dessus du premier substrat piézoélectrique (4A) est inférieure à l’épaisseur de l’organe étanche (8) positionné au-dessus du deuxième substrat piézoélectrique (4B). Le premier substrat piézoélectrique (4A) et la marque gravée (Z1) ne sont pas superposés lorsqu’ils sont vus dans le plan provenant de la deuxième surface (8b).
(JA)信頼性を高めることができ、かつ低背化し得る、弾性波装置を提供する。 弾性波装置1は、実装面3a上に実装された第1,第2の弾性波素子2A,2Bを封止しており、第1,第2の面8a,8bを有し、第2の面8bに刻印Z1が形成された封止部材8を備える。第1の弾性波素子2AはLiNbOからなる第1の圧電基板4Aを有し、第2の弾性波素子2BはLiNbOまたはLiTaOからなる第2の圧電基板4Bを有する。第2の圧電基板4Bの厚みよりも第1の圧電基板4Aの厚みの方が厚い。封止部材8の第2の面8b側を上方とし、第1の面8a側を下方としたときに、第2の圧電基板4Bの上方に位置する封止部材8の厚みよりも、第1の圧電基板4Aの上方に位置する封止部材8の厚みの方が薄い。第2の面8bからの平面視において、第1の圧電基板4Aと刻印Z1とが重なっていない。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)