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1. (WO2017033436) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR À ONDES MILLIMÉTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/033436    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/003760
Date de publication : 02.03.2017 Date de dépôt international : 18.08.2016
CIB :
H01P 5/107 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01P 1/02 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP)
Inventeurs : KUWABARA, Toshihide; (JP)
Mandataire : SHIMOSAKA, Naoki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-164742 24.08.2015 JP
Titre (EN) MILLIMETER WAVE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR À ONDES MILLIMÉTRIQUES
(JA) ミリ波半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)In order to provide a millimeter wave semiconductor device having less RF signal loss in a broad band, this millimeter wave semiconductor device is provided with: a module substrate on which a millimeter wave semiconductor chip is mounted; and a waveguide member, in which a waveguide is formed, and which supports the module substrate, said waveguide member constituting a package configured from the millimeter wave semiconductor chip and the waveguide. The module substrate is provided with: a base material; a path pattern configured from a micro-strip line section, a fin line section, and an interface section, which are formed on one surface of the base material; a ground pattern formed on the other surface of the base material; and a cavity, which is a hole formed in a center region of the base material, and in which, by having, as the bottom surface, a ground pattern surface on the path pattern side, the millimeter wave semiconductor chip is mounted on the ground pattern surface that is forming the bottom surface. The micro-strip line section and the millimeter wave semiconductor chip are wire-bonded at a substantially same height level.
(FR)Cette invention concerne un dispositif à semi-conducteur à ondes millimétriques présentant des pertes de signal RF réduites dans une large bande, ledit dispositif à semi-conducteur à ondes millimétriques comprenant : un substrat de module sur lequel est montée une puce à semi-conducteur de ondes millimétriques ; et un élément à guide d'ondes, dans lequel est formé un guide d'ondes, et qui supporte le substrat de module, ledit élément de guide d'ondes constituant un boîtier formé par la puce à semi-conducteur à ondes millimétriques et le guide d'ondes. Le substrat de module comprend : un matériau de base ; un motif de piste formé d'une section de ligne micro-ruban, d'une section de ligne à ailette, et d'une section d'interface, qui sont formées sur une surface du matériau de base ; un motif de mise à la masse formé sur l'autre surface du matériau de base ; et une cavité, qui est un trou formé dans une région centrale du matériau de base, et dans laquelle, en utilisant en tant que la surface inférieure une surface de motif de mise à la masse sur le côté motif de piste, la puce de semi-conducteur à ondes millimétriques est montée sur la surface de motif de mise à la masse qui forme la surface inférieure. La section de ligne micro-ruban et la puce de semi-conducteur à ondes millimétriques sont soudées par micro-câblage sensiblement à un même niveau de hauteur.
(JA)広帯域でRF信号のロスが少ないミリ波半導体装置を提供するため、本発明のミリ波半導体装置は、ミリ波半導体チップが搭載されたモジュール基板と、導波管が形成されてモジュール基板を支持して、ミリ波半導体チップと導波管とのパッケージを構成する導波管部材と、を備え、かつ、モジュール基板は、基材と、基材の一方の面に形成されたマイクロストリップライン部、フィンライン部、及び、インターフェイス部からなる線路パターンと、基材の他方の面に形成されたグランドパターンと、基材の中央領域に形成された穴であって、グランドパターンにおける線路パターン側の面を底面として、該底面をなすグランドパターンの面にミリ波半導体チップが搭載されてなるキャビティと、を備えて、マイクロストリップライン部とミリ波半導体チップとが概ね同一高さレベルでワイヤボンディングされている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)