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1. (WO2017033232) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/033232    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/073569
Date de publication : 02.03.2017 Date de dépôt international : 21.08.2015
CIB :
H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/0224 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : HIEDA, Takeshi; .
KOBAYASHI, Masamichi; .
OKAMOTO, Chikao; .
MATSUMOTO, Yuta; .
KIMOTO, Kenji;
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子
Abrégé : front page image
(EN)A photoelectric conversion element according to the present invention comprises a semiconductor substrate (1), a first i-type semiconductor film (2) provided on a portion of the surface of one side of the semiconductor substrate (1), a first semiconductor region comprising a first conductive-type semiconductor film (3) provided on the first i-type semiconductor film (2), and a first electrode layer (9) provided on the first semiconductor region, comprising a first conductive film (11a) partially interposed between the first semiconductor region and the first electrode layer (9).
(FR)Un élément de conversion photoélectrique selon la présente invention comprend un substrat semi-conducteur (1), un premier film semi-conducteur de type i (2) agencé sur une partie de la surface d'un côté du substrat semi-conducteur (1), une première région semi-conductrice comprenant un premier film semi-conducteur de type conducteur (3) agencé sur le premier film semi-conducteur de type i (2), et une première couche d'électrode (9) agencée sur la première région semi-conductrice, comprenant un premier film conducteur (11a) partiellement interposé entre la première région semi-conductrice et la première couche d'électrode (9).
(JA)光電変換素子は、半導体基板(1)と、半導体基板(1)の一方の表面の一部に設けられた第1のi型半導体膜(2)と、第1のi型半導体膜(2)上に設けられた第1導電型半導体膜(3)からなる第1半導体領域と、第1半導体領域上に設けられた第1電極層(9)とを備え、第1半導体領域と第1電極層(9)との間に部分的に介在された第1導電膜(11a)を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)