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1. (WO2017032605) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS SEMICONDUCTEURS ÉLECTROLUMINESCENTS ET COMPOSANT SEMICONDUCTEUR ÉLECTROLUMINESCENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/032605    N° de la demande internationale :    PCT/EP2016/069069
Date de publication : 02.03.2017 Date de dépôt international : 10.08.2016
CIB :
H01L 33/50 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : O'BRIEN, David; (DE).
GÖÖTZ, Britta; (DE).
VON MALM, Norwin; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2015 114 175.2 26.08.2015 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON LICHTEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUTEILEN UND LICHTEMITTIERENDES HALBLEITERBAUTEIL
(EN) METHOD FOR PRODUCING LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS SEMICONDUCTEURS ÉLECTROLUMINESCENTS ET COMPOSANT SEMICONDUCTEUR ÉLECTROLUMINESCENT
Abrégé : front page image
(DE)In einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von lichtemittierenden Halbleiterbauteilen eingerichtet und umfasst die Schritte: A) Bereitstellen einer Glaskapillare (2) aus einem Glasmaterial, B) Befüllen der Glaskapillare (2) mit Leuchtstoffen (3), C) Versiegeln der Glaskapillare (2) in einem Versieglungsbereich (22) durch Aufschmelzen des Glasmaterials, sodass die Glaskapillare (2) durch das Glasmaterial selbst verschlossen wird, und D) Anbringen der versiegelten Glaskapillare (2) an einen Leuchtdiodenchip (4), sodass im Betrieb die von dem Leuchtdiodenchip (4) emittierte Strahlung durch die Leuchtstoffe (3) in sichtbares Licht umgewandelt wird, wobei im Schritt C) ein Abstand zwischen dem Versieglungsbereich (22) und den Leuchtstoffen (3) bei höchstens 7 mm liegt, und wobei die verschiedenen Leuchtstoffe (3) entlang einer Längsachse (L) der Glaskapillare (2) voneinander getrennt vorliegen.
(EN)The invention relates, in one embodiment, to a method for producing light-emitting semiconductor components, which method comprises the following steps: A) providing a glass capillary (2) composed of a glass material, B) filling the glass capillary (2) with luminescent substances (3), C) sealing the glass capillary (2) in a sealing region (22) by melting the glass material such that the glass capillary (2) is closed by the glass material itself, and D) attaching the sealed glass capillary (2) to a light-emitting diode chip (4) such that the radiation emitted by the light-emitting diode chip (4) is converted into visible light by the luminescent substances (3) during operation, wherein in step C) a distance between the sealing region (22) and the luminescent substances (3) is at most 7 mm, and wherein the different luminescent substances (3) are separated from each other along a longitudinal axis (L) of the glass capillary (2).
(FR)Dans une forme de réalisation, le procédé selon l'invention est conçu pour la fabrication de composants semiconducteurs électroluminescents et comporte les étapes consistant à : A) fournir un capillaire en verre (2) constitué d'un matériau en verre, B) remplir le capillaire en verre (2) de substances luminescentes (3), C) sceller le capillaire en verre (2) dans une région de scellement (22) par fonte du matériau en verre, de sorte que le capillaire en verre (2) soit fermé par le matériau en verre lui-même, et D) appliquer le capillaire en verre (2) scellé sur une puce de diode électroluminescente (4) de sorte que, lors du fonctionnement, le rayonnement émis par la puce de diode électroluminescente (4) soit converti en lumière visible par les substances luminescentes (3). À l'étape C), une distance entre la région de scellement (22) et les substances luminescentes (3) est d'au maximum 7 mm et les différentes substances luminescentes (3) sont présentes de manière séparée les unes des autres le long d'un axe longitudinal (L) du capillaire en verre (2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)