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1. (WO2017004424) REMPLISSAGE AU COBALT D'INTERCONNEXIONS EN MICROÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/004424 N° de la demande internationale : PCT/US2016/040501
Date de publication : 05.01.2017 Date de dépôt international : 30.06.2016
CIB :
C25D 7/12 (2006.01) ,C25D 3/16 (2006.01) ,C25D 5/18 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
7
Dépôts de métaux par voie électrolytique caractérisés par l'objet à revêtir
12
Semi-conducteurs
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
3
Dépôts de métaux par voie électrolytique; Bains utilisés
02
à partir de solutions
12
de nickel ou de cobalt
14
à partir de bains contenant des composés acétyléniques ou hétérocycliques
16
Composés acétyléniques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
D
PROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
5
Dépôts de métaux par voie électrolytique caractérisés par le procédé; Prétraitement ou post-traitement des pièces
18
Dépôts au moyen de courant modulé, pulsé ou inversé
Déposants :
MACDERMID ENTHONE INC. [US/US]; 245 Freight Street Waterbury, CT 06702, US
Inventeurs :
COMMANDER, John; US
PANECCASIO, JR., Vincent; US
ROUYA, Eric; US
WHITTEN, Kyle; US
SUN, Shaopeng; US
Mandataire :
SCHAIER, Arthur G.; US
Données relatives à la priorité :
62/186,97830.06.2015US
Titre (EN) COBALT FILLING OF INTERCONNECTS IN MICROELECTRONICS
(FR) REMPLISSAGE AU COBALT D'INTERCONNEXIONS EN MICROÉLECTRONIQUE
Abrégé :
(EN) Processes and compositions for electroplating a cobalt deposit onto a semiconductor base structure comprising submicron-sized electrical interconnect features. In the process, a metalizing substrate within the interconnect features is contacted with an electrodeposition composition comprising a source of cobalt ions, an accelerator comprising an organic sulfur compound, an acetylenic suppressor, a buffering agent and water. Electrical current is supplied to the electrolytic composition to deposit cobalt onto the base structure and fill the submicron-sized features with cobalt. The process is effective for superfilling the interconnect features.
(FR) La présente invention concerne des procédés et des compositions d'électrodéposition d'un dépôt de cobalt sur une structure de base à semi-conducteurs comprenant des éléments d'interconnexion électrique de taille submicronique. Dans le procédé, un substrat de métallisation dans les éléments d'interconnexion est mis en contact avec une composition d'électrodéposition comprenant une source d'ions cobalt, un accélérateur comprenant un composé de soufre organique, un suppresseur acétylénique, un agent tampon et de l'eau. Un courant électrique est fourni à la composition électrolytique pour déposer du cobalt sur la structure de base et remplir les éléments de taille submicronique avec du cobalt. Le procédé est efficace pour sur-remplir les éléments d'interconnexion.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020180022700EP3317437CN107849722