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1. (WO2017004400) CONTACTS EN DIAMANT ULTRANANOCRISTALLIN POUR DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/004400 N° de la demande internationale : PCT/US2016/040456
Date de publication : 05.01.2017 Date de dépôt international : 30.06.2016
CIB :
H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 21/302 (2006.01) ,H01L 31/0312 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256
caractérisés par les matériaux
0264
Matériaux inorganiques
0312
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIVBIV, p.ex. SiC
Déposants :
UCHICAGO ARGONNE, LLC [US/US]; 5801 South Ellis Avenue Chicago, Illinois 60637, US
BROOKHAVEN SCIENCE ASSOCIATES, LLC [US/US]; US
THE RESEARCH FOUNDATION FOR THE UNIVERSITY OF NEW YORK [US/US]; US
Inventeurs :
SUMANT, Anirudha V.; US
SMEDLEY, John; US
MULLER, Erik; US
Mandataire :
MARTIN, Matthew E.; US
Données relatives à la priorité :
14/790,99502.07.2015US
Titre (EN) ULTRANANOCRYSTALLINE DIAMOND CONTACTS FOR ELECTRONIC DEVICES
(FR) CONTACTS EN DIAMANT ULTRANANOCRISTALLIN POUR DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES
Abrégé :
(EN) A method of forming electrical contacts on a diamond substrate comprises producing a plasma ball using a microwave plasma source in the presence of a mixture of gases. The mixture of gases include a source of a p-type or an n-type dopant. The plasma ball is disposed at a first distance from 5 the diamond substrate. The diamond substrate is maintained at a first temperature. The plasma ball is maintained at the first distance from the diamond substrate for a first time, and a UNCD film, which is doped with at least one of a p-type dopant and an n-type dopant, is disposed on the diamond substrate. The doped UNCD film is patterned to define UNCD electrical contacts on the diamond substrate.
(FR) L'invention porte sur un procédé de formation de contacts électriques sur un substrat en diamant, qui consiste à produire une boule de plasma à l'aide d'une source de plasma hyperfréquence en présence d'un mélange de gaz. Le mélange de gaz comprend une source d'un dopant du type p ou du type n. La boule de plasma est disposée à une première distance du substrat en diamant. Le substrat en diamant est maintenu à une première température. La boule de plasma est maintenue à la première distance du substrat en diamant pendant une première durée, et un film de diamant ultrananocristallin (UNCD), qui est dopé avec un dopant du type p et/ou un dopant du type n, est disposé sur le substrat en diamant. Le film UNCD dopé est soumis à une formation de motif pour définir des contacts électriques UNCD sur le substrat en diamant.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)